[發明專利]電流模式邏輯-互補金屬氧化物半導體轉換器

無效

• 申請號: 200810085730.0
• 申請日: 2008-03-13
• 公開（公告）號: CN101383612A
• 公開（公告）日: 2009-03-11
• 發明（設計）人: 金敬勛;權大漢
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185;H03K19/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 楊林森;楊紅梅

1.一種電流模式邏輯(CML)-互補金屬氧化物半導體(CMOS) 轉換器，包括：

第一參考電平偏移單元，其被配置成接收在第一參考電平周圍擺動的 正CML信號，以便將所述第一參考電平偏移到第二參考電平；

第二參考電平偏移單元，其被配置成接收在所述第一參考電平周圍擺 動的負CML信號，以便將所述第一參考電平偏移到第二參考電平；

第一CMOS反相單元，其被配置成將所述第一參考電平偏移單元的 輸出信號的擺動范圍放大到CMOS電平；

第二CMOS反相單元，被配置成將所述第二參考電平偏移單元的輸 出信號的擺動范圍放大到CMOS電平，以將所放大的第二參考電平偏移 單元輸出信號輸出為CMOS信號；

第一偏置單元，被配置成響應于所述第一CMOS反相單元的輸出信 號，將源電流提供給所述第一CMOS反相單元和所述第二CMOS反相單 元；以及

第二偏置單元，被配置成響應于所述第一CMOS反相單元的輸出信 號，將吸收電流提供給所述第一CMOS反相單元和所述第二CMOS反相 單元。

2.根據權利要求1所述的轉換器，還包括：

第一操作控制單元，其被配置成響應于偏壓，控制所述第一參考電平 偏移單元的接通/關斷操作；以及

第二操作控制單元，其被配置成響應于所述偏壓，控制所述第二參考 電平偏移單元的接通/關斷操作。

3.根據權利要求1所述的轉換器，其中，所述第一參考電平偏移單 元包括具有接收所述負CML信號的柵極、連接到電源電壓端子的漏極和 連接到第一輸出節點的源極的第一晶體管，以響應于所施加的正CML信 號的電壓電平，控制在所述電源電壓端子與所述第一輸出節點之間流過的 電流的量。

4.根據權利要求3所述的轉換器，其中，所述第二參考電平偏移單 元包括具有接收所述負CML信號的柵極、連接到所述電源電壓端子的漏 極和連接到第二輸出節點的源極的第二晶體管，以響應于所施加的負 CML信號的電壓電平，控制在所述電源電壓端子與所述第二輸出節點之 間流過的電流的量。

5.根據權利要求4所述的轉換器，其中，所述第一晶體管和所述第 二晶體管具有相同的閾值電壓電平，且所述第一參考電平與所述第二參考 電平之間的電壓電平差是根據所述閾值電壓電平確定的。

6.根據權利要求1所述的轉換器，其中，所述第一CMOS反相單元 包括：

第一晶體管，具有接收所述第一參考電平偏移單元的輸出信號的柵 極、連接到源節點的源極和連接到偏置控制節點的漏極，以響應于所述第 一參考電平偏移單元的輸出信號，控制在所述源節點和所述偏置控制節點 之間流過的電流的量；以及

第二晶體管，具有接收所述第一參考電平偏移單元的輸出信號的柵 極、連接到所述偏置控制節點的漏極和連接到吸收節點的源極，以便響應 于所述第一參考電平偏移單元的輸出信號，控制在所述偏置控制節點與所 述吸收節點之間流過的電流的量。

7.根據權利要求6所述的轉換器，其中，所述第二CMOS反相單元 包括：

第三晶體管，具有接收所述第二參考電平偏移單元的輸出信號的柵 極、連接到所述源節點的源極和連接到輸出節點的漏極，以響應于所述第 二參考電平偏移單元的輸出信號，控制在所述源節點和所述輸出節點之間 流過的電流的量；以及

第四晶體管，具有接收所述第二參考電平偏移單元的輸出信號的柵 極、連接到所述輸出節點的漏極和連接到所述吸收節點的源極，以響應于 所述第二參考電平偏移單元的輸出信號，控制在所述輸出節點與所述吸收 節點之間流過的電流的量。

8.根據權利要求6所述的轉換器，其中，所述第一偏置單元包括具 有接收所述偏置控制節點的電壓的柵極、連接到電源電壓端子的源極和連 接到所述源節點的漏極的第三晶體管，以控制在所述電源電壓端子和所述 源節點之間流過的電流的量。

9.根據權利要求6所述的轉換器，其中，所述第二偏置單元包括具 有接收所述偏置控制節點的電壓的柵極、連接到所述吸收節點的漏極和連 接到地電壓端子的源極的第三晶體管，以控制在所述吸收節點和所述地電 壓端子之間流過的電流的量。