[發明專利]電流模式邏輯-互補金屬氧化物半導體轉換器無效
| 申請號: | 200810085730.0 | 申請日: | 2008-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN101383612A | 公開(公告)日: | 2009-03-11 |
| 發明(設計)人: | 金敬勛;權大漢 | 申請(專利權)人: | 海力士半導體有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/0185 | 分類號: | H03K19/0185;H03K19/20 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 楊林森;楊紅梅 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電流 模式 邏輯 互補 金屬 氧化物 半導體 轉換器 | ||
相關申請的交叉引用?
本發明要求于2007年9月4日提交的韓國專利申請No.10-2007-0089532的優先權,該申請通過引用全部結合于此。?
背景技術
本發明涉及半導體器件,更特別地,涉及用于將電流模式邏輯(CML)電平信號轉換成互補金屬氧化物半導體(CMOS)電平信號的CML-CMOS轉換器。更具體地,本發明涉及能夠在轉換過程中防止占空比變化的CML-CMOS轉換器。?
在半導體器件中,CML電平信號通常用作高速信號如時鐘信號的輸入/輸出(I/O)接口信號。CML電平是指由預定直流(DC)電平或指定參考確定的平均電平。CML電平信號是在稱為CML電平的預定DC電平周圍以預定振幅或預定擺動范圍切換的信號。?
例如,在用于輸入/輸出CML電平信號的裝置中,當電源電壓(VDD)電平為1.5V且地電壓(VSS)電平為0V時,CML電平信號的CML電平為1.25V且其擺動范圍為0.5V。?
由于在用于輸入/輸出CML電平信號的裝置中CML電平信號的擺動范圍與電源電壓(VDD)電平和地電壓(VSS)電平之間的差相比相對較小,所以,用于輸入/輸出CML電平信號的裝置能夠以相對較低的電源工作,并且能夠以GHz或幾十GHz的極高切換速度工作。?
由于用于輸入/輸出CML電平信號的裝置同時傳遞具有不同相位的兩個信號,所以,其對在信號傳遞時產生的噪聲不敏感。但是,由于相對較小的擺動范圍,CML電平信號不能用于根據電壓電平來確定數據的邏輯電平的裝置。也就是說,CML電平信號能用于時鐘信號,但是不能用于其它數據信號。?
因此,具有相對較大擺動范圍的CMOS電平信號被用于用來輸入/輸出數據信號的裝置。類似于CML電平,CMOS電平是指由預定DC電?平或特定參考確定的平均電平。CMOS電平信號是在稱為CMOS電平的預定DC電平周圍以預定振幅或預定擺動范圍切換的信號。?
CMOS電平信號在基于參考電平的振幅或擺動范圍方面與CML電平信號不同。?
在以上示例中,當CML電平信號的擺動范圍大約為0.5V時,CMOS電平信號主要為全擺動信號,其在輸入到裝置的電源電壓(VDD)與地電壓VSS之間擺動,且因此與CML電平信號相比具有相對較大的擺動范圍。?
例如,在上述裝置中,當電源電壓VDD電平為1.5V且地電壓VSS電平為0V時,CMOS電平信號具有在0.75V的CMOS電平周圍的1.5V的擺動范圍。?
當然,CMOS電平信號不一定是全擺動信號。但是,由于CMOS電平主要用于輸入/輸出數據信號,所以,其具有在電壓電平發生變化的情況下足夠確切地確定邏輯電平的振幅或擺動范圍。?
同時,當數據信號從半導體器件,尤其是同步動態隨機訪問存儲器(SDRAM)輸出時,該數據信號通常與時鐘同步。類似地,當數據信號被輸入SDRAM時,該數據信號應該與時鐘同步。也就是說,如上所述,在CMOS電平周圍擺動的數據信號應與在CML電平周圍擺動的時鐘信號同步,以便執行輸入或輸出操作。?
因此,SDRAM的輸入/輸出緩沖器包括用于將CML電平信號轉換成CMOS電平信號的CML-CMOS轉換器。?
圖1是用于將CML電平信號轉換成CMOS電平信號的常規CML-CMOS轉換器的電路圖。參考圖1,常規CML-CMOS轉換器100具有通常的OP放大器的結構。?
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