[發明專利]半導體器件微圖案的形成方法

無效

• 申請號: 200810085517.X
• 申請日: 2008-03-10
• 公開（公告）號: CN101419906A
• 公開（公告）日: 2009-04-29
• 發明（設計）人: 安相俊
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/311;H01L21/3213;G03F7/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉繼富;顧晉偉

1.一種形成半導體器件微圖案的方法，所述方法包括：

在其上形成有蝕刻目標層的半導體襯底上形成具有不同曝光類型的第一光刻膠層和第二光刻膠層；

在所述第二光刻膠層和所述第一光刻膠層上實施曝光工藝以分別在所述第二光刻膠層和所述第一光刻膠層中形成第二曝光區域和第一曝光區域，所述第二曝光區域和所述第一曝光區域以特定的間隔彼此分隔；

通過顯影所述第二光刻膠層形成第二光刻膠圖案；

通過實施采用所述第二光刻膠圖案作為蝕刻掩模的蝕刻工藝來蝕刻所述第一光刻膠層，以形成第一光刻膠圖案；

通過顯影所述第一光刻膠圖案形成輔助圖案；和

通過采用所述輔助圖案來蝕刻所述蝕刻目標層。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述蝕刻目標層和所述第一光刻膠層之間形成底部抗反射涂層。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括在所述蝕刻目標層和所述底部抗反射涂層之間形成硬掩模層。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一光刻膠層由負性光刻膠層形成，所述第二光刻膠層由正性光刻膠層形成。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一光刻膠層由正性光刻膠層形成，所述第二光刻膠層由負性光刻膠層形成。

6.根據權利要求1所述的方法，其中利用曝光掩模在所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠中形成所述第一曝光區域和所述第二曝光區域。

7.根據權利要求1所述的方法，其中在所述曝光工藝過程中，在第一能量水平下在所述第二光刻膠層中限定所述第二曝光區域，在低于所述第一能量水平的第二能量水平下在所述第一光刻膠層中限定所述第一曝光區域。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述第一曝光區域和所述第二曝光區域的間距是通過最終工藝形成的微圖案的間距的兩倍。

9.根據權利要求1所述的方法，其中在所述曝光工藝過程中，在第三能量水平下在所述第一光刻膠層中限定所述第一曝光區域，在低于所述第三能量水平的第四能量水平下在所述第二光刻膠層中限定所述第二曝光區域。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述第一曝光區域和所述第二曝光區域的間距是通過最終工藝形成的微圖案的間距的兩倍。

11.一種形成半導體器件微圖案的方法，所述方法包括：

在其上形成有底部抗反射涂層的半導體襯底上形成具有不同曝光類型的第一光刻膠層和第二光刻膠層；

通過實施曝光工藝，在所述第二光刻膠層和所述第一光刻膠層中分別形成第二曝光區域和第一曝光區域，所述第二曝光區域和所述第一曝光區域以特定間隔彼此分隔；

通過顯影所述第二光刻膠層形成第二光刻膠圖案；

通過實施采用所述第二光刻膠圖案作為蝕刻掩模的蝕刻工藝來蝕刻所述第一光刻膠層，以形成第一光刻膠圖案；和

通過顯影所述第一光刻膠圖案形成輔助圖案。

12.根據權利要求11所述的方法，還包括在所述半導體襯底和所述底部抗反射涂層之間形成蝕刻目標層。

13.根據權利要求12所述的方法，還包括在所述蝕刻目標層和所述底部抗反射涂層之間形成硬掩模層。

14.根據權利要求11所述的方法，其中所述第一光刻膠層由負性光刻膠層形成，所述第二光刻膠層由正性光刻膠層形成。

15.根據權利要求11所述的方法，其中所述第一光刻膠層由正性光刻膠層形成，所述第二光刻膠層由負性光刻膠層形成。

16.根據權利要求11所述的方法，其中利用曝光掩模分別在所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠中同時形成所述第一曝光區域和所述第二曝光區域。

17.根據權利要求11所述的方法，其中在所述曝光工藝過程中，在第一能量水平下在所述第二光刻膠層中限定所述第二曝光區域，并在低于所述第一能量水平的第二能量水平下在所述第一光刻膠層中限定所述第一曝光區域。

18.根據權利要求17所述的方法，其中所述第一曝光區域和所述第二曝光區域的間距是通過最終工藝形成的微圖案的間距的兩倍。