[發(fā)明專利]光致抗蝕劑層的形成方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810085488.7
• 申請日: 2008-03-19
• 公開（公告）號: CN101539724A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉宇桓;陳志榮;黃志忠
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 彭久云

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種光致抗蝕劑層的形成方法，且特別涉及一種使晶片表面預(yù)先濕潤的光致抗蝕劑層的形成方法。

背景技術(shù)

一般半導(dǎo)體元件制造的流程相當(dāng)復(fù)雜，包括薄膜沉積、光刻、蝕刻、離子注入及熱工藝步驟等等。其中，光刻(photolithography)工藝可以說是整個半導(dǎo)體工藝中，最舉足輕重的步驟之一。光刻技術(shù)的基本工藝是由涂布光致抗蝕劑、曝光及顯影三大步驟所構(gòu)成。

其中，在光刻工藝?yán)锼褂玫墓庵驴刮g劑，主要是由樹脂(resin)、感光劑(sensitizer)及溶劑等三種不同成分所混合而成，以液態(tài)的形式存在的。光致抗蝕劑的好壞與工藝的成品率和精確度有非常密切的關(guān)系。其中，影響光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案轉(zhuǎn)移的首要重點(diǎn)便是光致抗蝕劑與晶片表面彼此間的附著能力，以及光致抗蝕劑是否有確實(shí)且完全的覆蓋晶片表面。

由于光致抗蝕劑的成分一般包含樹脂，其中樹脂的功能是作為黏合劑，使得光致抗蝕劑為濃稠的液態(tài)物質(zhì)。因此，若晶片表面為干燥表面時，要使光致抗蝕劑確實(shí)且完全的覆蓋于晶片表面，則必須消耗大量的光致抗蝕劑材料。

為了解決上述的問題，已知技術(shù)會利用預(yù)濕潤溶劑使晶片表面預(yù)先進(jìn)行濕潤，以減少光致抗蝕劑的消耗量。已知技術(shù)在晶片表面進(jìn)行預(yù)先濕潤時，是先將預(yù)濕潤溶劑供應(yīng)至晶片上，接著再旋轉(zhuǎn)晶片，以使得預(yù)濕潤溶劑涂布于整個晶片上。

圖1所繪示為已知技術(shù)在光致抗蝕劑層中產(chǎn)生環(huán)狀排列的氣泡缺陷的示意圖。

然而，由于在提供預(yù)濕潤溶劑的步驟與旋轉(zhuǎn)晶片的步驟之間具有時間差，而使得晶片表面上的預(yù)濕潤溶劑會出現(xiàn)兩種不同濕潤能力(wet-ability)。因此，請參照圖1，在后續(xù)于晶片100上形成光致抗蝕劑層102時，由于預(yù)濕潤溶劑具有兩種不同濕潤能力，會造成光致抗蝕劑與預(yù)濕潤溶劑產(chǎn)生兩種不同的結(jié)特性，而使得光致抗蝕劑層102在兩種不同濕潤能力的預(yù)濕潤溶劑的交界處產(chǎn)生環(huán)狀排列的氣泡104，而使得光致抗蝕劑層102產(chǎn)生缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種光致抗蝕劑層的形成方法，可避免光致抗蝕劑層產(chǎn)生缺陷。

本發(fā)明的另一目的是提供一種光致抗蝕劑層的形成方法，能有效地降低光致抗蝕劑層的消耗量。

本發(fā)明提出一種光致抗蝕劑層的形成方法，包括下列步驟。首先，提供晶片至半導(dǎo)體機(jī)臺中。接著，使晶片在第一轉(zhuǎn)速下進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。然后，利用噴嘴在固定位置上將預(yù)濕潤溶劑供應(yīng)至旋轉(zhuǎn)中的晶片上。接下來，停止供應(yīng)預(yù)濕潤溶劑。之后，將晶片的轉(zhuǎn)速從第一轉(zhuǎn)速調(diào)整至第二轉(zhuǎn)速，且第二轉(zhuǎn)速大于第一轉(zhuǎn)速。隨后，于晶片上涂布光致抗蝕劑層。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的光致抗蝕劑層的形成方法中，半導(dǎo)體機(jī)臺包括光致抗蝕劑涂布機(jī)臺。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的光致抗蝕劑層的形成方法中，第一轉(zhuǎn)速的范圍在20rpm至1000rpm之間。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的光致抗蝕劑層的形成方法中，固定位置包括位于晶片的中央位置上方。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的光致抗蝕劑層的形成方法中，預(yù)濕潤溶劑包括降低光致抗蝕劑消耗(reducing?restist?consumption，RRC)溶劑。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的光致抗蝕劑層的形成方法中，第二轉(zhuǎn)速的范圍在20rpm至1000rpm之間。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的光致抗蝕劑層的形成方法中，將第一轉(zhuǎn)速調(diào)整至第二轉(zhuǎn)速的方法包括先將第一轉(zhuǎn)速調(diào)整至第三轉(zhuǎn)速，再將第三轉(zhuǎn)速調(diào)整至第二轉(zhuǎn)速。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的光致抗蝕劑層的形成方法中，第三轉(zhuǎn)速小于第一轉(zhuǎn)速。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的光致抗蝕劑層的形成方法中，第三轉(zhuǎn)速大于第一轉(zhuǎn)速且小于第二轉(zhuǎn)速。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的光致抗蝕劑層的形成方法中，第三轉(zhuǎn)速的范圍在20rpm至1000rpm之間。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的光致抗蝕劑層的形成方法中，將預(yù)濕潤溶劑供應(yīng)至旋轉(zhuǎn)中的晶片的方法包括在晶片開始旋轉(zhuǎn)之后且在晶片的轉(zhuǎn)速到達(dá)第一轉(zhuǎn)速之前，將預(yù)濕潤溶劑供應(yīng)至晶片上。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的光致抗蝕劑層的形成方法中，將預(yù)濕潤溶劑供應(yīng)至旋轉(zhuǎn)中的晶片上的方法包括在晶片的轉(zhuǎn)速已達(dá)到第一轉(zhuǎn)速時，將預(yù)濕潤溶劑供應(yīng)至晶片上。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的光致抗蝕劑層的形成方法中，將預(yù)濕潤溶劑供應(yīng)至旋轉(zhuǎn)中的晶片上的方法包括同時進(jìn)行旋轉(zhuǎn)晶片的步驟與將預(yù)濕潤溶劑供應(yīng)至晶片上的步驟。