[發明專利]光致抗蝕劑層的形成方法無效
| 申請號： | 200810085488.7 | 申請日： | 2008-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN101539724A | 公開（公告）日： | 2009-09-23 |
| 發明（設計）人： | 劉宇桓;陳志榮;黃志忠 | 申請（專利權）人： | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/16 | 分類號： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光致抗蝕劑層 形成 方法 | ||
1.一種光致抗蝕劑層的形成方法，包括：
提供晶片至半導體機臺中；
使該晶片在第一轉速下進行旋轉；
利用噴嘴在固定位置上將預濕潤溶劑供應至旋轉中的該晶片上；
停止供應該預濕潤溶劑；
將該晶片的轉速從該第一轉速調整至第二轉速，且該第二轉速大于該第一轉速；以及
于該晶片上涂布光致抗蝕劑層。
2.如權利要求1所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中該半導體機臺包括光致抗蝕劑涂布機臺。
3.如權利要求1所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中該第一轉速的范圍在20rpm至1000rpm之間。
4.如權利要求1所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中該固定位置包括位于該晶片的中央位置上方。
5.如權利要求1所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中該預濕潤溶劑包括降低光致抗蝕劑消耗溶劑。
6.如權利要求1所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中該第二轉速的范圍在20rpm至1000rpm之間。
7.如權利要求1所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中將該第一轉速調整至該第二轉速的方法包括先將該第一轉速調整至第三轉速，再將該第三轉速調整至該第二轉速。
8.如權利要求7所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中該第三轉速小于該第一轉速。
9.如權利要求7所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中該第三轉速大于該第一轉速且小于該第二轉速。
10.如權利要求1所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中該第三轉速的范圍在20rpm至1000rpm之間。
11.如權利要求1所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中將該預濕潤溶劑供應至旋轉中的該晶片上的方法包括在該晶片開始旋轉之后且在該晶片的轉速到達該第一轉速之前，將該預濕潤溶劑供應至該晶片上。
12.如權利要求1所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中將該預濕潤溶劑供應至旋轉中的該晶片上的方法包括在該晶片的轉速已達到該第一轉速時，將該預濕潤溶劑供應至該晶片上。
13.如權利要求1所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中將該預濕潤溶劑供應至旋轉中的該晶片上的方法包括同時進行旋轉該晶片的步驟與將該預濕潤溶劑供應至該晶片上的步驟。
14.一種光致抗蝕劑層的形成方法，包括：
提供晶片至半導體機臺中；
使該晶片在設定轉速下進行旋轉；
利用噴嘴在固定位置上將預濕潤溶劑供應至旋轉中的該晶片上；
停止供應該預濕潤溶劑；以及
于該晶片上涂布光致抗蝕劑層。
15.如權利要求14所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中該半導體機臺包括光致抗蝕劑涂布機臺。
16.如權利要求14所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中該設定轉速的范圍在20rpm至1000rpm之間。
17.如權利要求14所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中該固定位置包括該位于該晶片的中央位置上方。
18.如權利要求14所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中該預濕潤溶劑包括降低光致抗蝕劑消耗溶劑。
19.如權利要求14所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中將該預濕潤溶劑供應至旋轉中的該晶片上的方法包括在該晶片開始旋轉之后且在該晶片的轉速到達該設定轉速之前，將該預濕潤溶劑供應至該晶片上。
20.如權利要求14所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中將該預濕潤溶劑供應至旋轉中的該晶片上的方法包括在該晶片的轉速已達到該設定轉速時，將該預濕潤溶劑供應至該晶片上。
21.如權利要求14所述的光致抗蝕劑層的形成方法，其中將該預濕潤溶劑供應至旋轉中的該晶片上的方法包括同時進行旋轉該晶片的步驟與將該預濕潤溶劑供應至該晶片上的步驟。
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