[發(fā)明專利]半導(dǎo)體激光裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810085243.4
• 申請日: 2008-03-10
• 公開（公告）號: CN101262120A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吉田保明
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01S5/028
• 分類號: H01S5/028;H01S5/10;H01S5/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張雪梅;劉宗杰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光盤系統(tǒng)或光通信等中所使用的半導(dǎo)體激光裝置，更詳細地說，涉及使用了氮化鎵系半導(dǎo)體的藍色半導(dǎo)體激光裝置。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體激光裝置被廣泛用于光盤系統(tǒng)或光通信等中(例如，參照專利文獻1～3。)。這樣的半導(dǎo)體激光裝置具有用于產(chǎn)生激光的諧振器。在其一端設(shè)有用于射出激光的前端面，在其另一端設(shè)有后端面。在前端面和后端面上包覆有叫做涂敷膜的絕緣膜，以減小半導(dǎo)體激光器的工作電流、防止反射光、實現(xiàn)高輸出。

通常，在要求高輸出的半導(dǎo)體激光裝置中，在前端面?zhèn)刃纬捎蟹瓷渎实偷耐糠竽ぃ诤蠖嗣鎮(zhèn)刃纬捎蟹瓷渎矢叩耐糠竽ぁ：蠖嗣鎮(zhèn)鹊耐糠竽さ姆瓷渎释ǔＴ?0％以上，優(yōu)選80％以上。前端面的反射率不僅是低就可以，而且要根據(jù)半導(dǎo)體激光所要求的特性進行選定。例如，在和光纖光柵一起使用的光纖放大器激勵用半導(dǎo)體激光器中反射率選定為0.01～3％程度，在通常的高輸出半導(dǎo)體激光器中反射率選定為3～7％程度，在需要反射光對策的情況下，反射率選定為7～20％程度。

涂敷膜也可以作為端面的保護膜即半導(dǎo)體界面的鈍化膜發(fā)揮作用(例如，參照專利文獻3。)。但是，就現(xiàn)有涂敷膜材料而言，存在如下問題，即：在其與半導(dǎo)體的界面處發(fā)生界面態(tài)(interface?state)，COD(Catastrophic?Optical?Damage：災(zāi)變性光學(xué)損傷)閾值(COD?threshold)降低。

與此相對，在GaAs系半導(dǎo)體激光器中，為了防止COD閾值的降低，基于活性層的無秩序化的窗結(jié)構(gòu)是有效的，這一觀點已被確認并被實際應(yīng)用(例如，參照專利文獻5)。并且，也已經(jīng)摸索出在氮化物系半導(dǎo)體激光器中形成窗的方法。

專利文獻1：特許第3080312號公報

專利文獻2：特開2002-100830號公報

專利文獻3：特開2004-296903號公報

專利文獻4：特開平3-76184號公報

專利文獻5：特開2006-147814號公報

但是，在藍色半導(dǎo)體激光中，由于激光的振動波長短，因此，存在涂敷膜的光吸收系數(shù)比現(xiàn)有的大，容易引起涂敷膜自身的劣化的問題。另外，存在如下問題，即：現(xiàn)有的涂敷膜作為鈍化膜的功能不充分，端面附近的結(jié)晶劣化、COD閾值降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是為解決上述問題而開發(fā)的，其目的在于提供一種在諧振器的端面形成保護膜且壽命長的半導(dǎo)體激光裝置。

本發(fā)明的其它目的及優(yōu)點從以下的記載可以明了。

本發(fā)明涉及氮化鎵系半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，具備：

沿激光的行進方向設(shè)置的諧振器；

設(shè)于所述諧振器的一端且射出所述激光的第一端面；以及

設(shè)于所述諧振器的另一端的第二端面，

在所述第一端面及所述第二端面的至少一個面的最前面，設(shè)有陽極氧化膜。

另外，本發(fā)明涉及氮化鎵系半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，具備：

沿激光的行進方向設(shè)置的諧振器；

設(shè)于所述諧振器的一端且射出所述激光的第一端面；以及

設(shè)于所述諧振器的另一端的第二端面，

在所述第一端面及所述第二端面的至少一個面，設(shè)有陽極氧化膜，

在所述陽極氧化膜上形成有單層或多層涂敷膜。

根據(jù)本發(fā)明，可以得到在諧振器的端面形成有保護膜的長壽命的半導(dǎo)體激光裝置。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施方式1的半導(dǎo)體激光裝置的立體圖；

圖2(a)是圖1的半導(dǎo)體激光裝置的前端面附近的放大剖面圖，(b)是(a)的比較例；

圖3是實施方式2的半導(dǎo)體激光裝置的前端面附近的放大剖面圖；

圖4是實施方式3的半導(dǎo)體激光裝置的前端面附近的放大剖面圖；

圖5是可適用于本實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造中的等離子體陽極氧化裝置的結(jié)構(gòu)圖。

符號說明

1GaN襯底

2n型包層

3活性層

4p型包層

5脊

6p電極

7n電極

8前端面

9后端面

10陽極氧化膜

12涂敷膜

101等離子體陽極氧化裝置

102真空容器

103上部電極

104下部電極

105氣體導(dǎo)入管

107高頻電源

108高頻線圈

109DC電源

110激光桿

111石英罩

具體實施方式