[發(fā)明專利]半導體激光裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810085243.4 | 申請日： | 2008-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN101262120A | 公開（公告）日： | 2008-09-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 吉田保明 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/028 | 分類號： | H01S5/028;H01S5/10;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 張雪梅;劉宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 激光 裝置 | ||
1.一種氮化鎵系半導體激光裝置，其為在襯底上層疊半導體膜而形成的半導體激光器，其特征在于，具備：
沿激光的行進方向設置的諧振器；
設于所述諧振器的一端且射出所述激光的第一端面；以及
設于所述諧振器的另一端的第二端面，
在所述第一端面及所述第二端面的至少一個面的最前面，設有所述半導體自身被陽極氧化的陽極氧化膜。
2.一種氮化鎵系半導體激光裝置，其為在襯底上層疊半導體膜而形成的半導體激光器，其特征在于，具備：
沿激光的行進方向設置的諧振器；
設于所述諧振器的一端、且射出所述激光的第一端面；以及
設于所述諧振器的另一端的第二端面，
在所述第一端面及所述第二端面的至少一個面，設有所述半導體自身被陽極氧化的陽極氧化膜，
在所述陽極氧化膜上形成有單層或多層涂敷膜。
3.如權利要求1或2所述的氮化鎵系半導體激光裝置，其特征在于，
設所述激光的振動波長為λ，所述陽極氧化膜的折射率為n，則所述陽極氧化膜的厚度為λ/4n或其奇數(shù)倍。
4.如權利要求1或2所述的氮化鎵系半導體激光裝置，其特征在于，
所述陽極氧化膜的厚度為λ/2n或其整數(shù)倍。
5.如權利要求1或2所述的氮化鎵系半導體激光裝置，其特征在于，
所述陽極氧化膜的厚度為10nm以下。
6.如權利要求1或2所述的氮化鎵系半導體激光裝置，其特征在于，
所述陽極氧化膜是通過等離子體陽極氧化而形成的氧化膜。
7.如權利要求1或2所述的氮化鎵系半導體激光裝置，其特征在于，
所述陽極氧化膜是以200～600℃進行退火后的氧化膜。
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