[發(fā)明專(zhuān)利]非易失性存儲(chǔ)元件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810085039.2
• 申請(qǐng)日: 2008-03-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101267002A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔梁圭;金局奐
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/78
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/78;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京萬(wàn)慧達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 葛強(qiáng);張一軍

1.一種非易失性存儲(chǔ)元件，包括：

襯底；

形成在所述襯底的有源區(qū)上方的第一氧化膜；

形成在所述有源區(qū)內(nèi)的源極和漏極；

形成在所述第一氧化膜上的電荷存儲(chǔ)單元；

設(shè)置成包圍所述電荷存儲(chǔ)單元并形成在所述第一氧化膜上的第二氧化膜；以及

形成以包圍所述第二氧化膜的柵極。

2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)元件，其特征在于，所述電荷存儲(chǔ)單元由碳納米管(CNT)、富勒烯、氮化物、或納米晶材料形成。

3.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)元件，其特征在于，所述柵極包含多晶硅或金屬。

4.如權(quán)利要求3所述的非易失性存儲(chǔ)元件，其特征在于，所述金屬具有4.2eV至5.1eV的功函數(shù)。

5.一種非易失性存儲(chǔ)元件陣列，包括：

襯底；

在所述襯底中界定出多個(gè)有源區(qū)的元件隔離單元；

形成在所述多個(gè)有源區(qū)的每一個(gè)內(nèi)的源極及漏極；

形成在所述多個(gè)有源區(qū)的每一個(gè)上的第一氧化膜；

形成在所述第一氧化膜上的電荷存儲(chǔ)單元；

設(shè)置成包圍所述電荷存儲(chǔ)單元并形成在所述第一氧化膜上的多個(gè)第二氧化膜；以及

設(shè)置成包圍布置在同一信號(hào)處理線(xiàn)上的所述多個(gè)第二氧化膜并電連接所述第二氧化膜的柵極襯。

6.如權(quán)利要求5所述的非易失性存儲(chǔ)元件陣列，其特征在于，所述電荷存儲(chǔ)單元由碳納米管(CNT)、富勒烯、氮化物、或納米晶材料形成。

7.如權(quán)利要求5所述的非易失性存儲(chǔ)元件陣列，其特征在于，所述柵極包含多晶硅或金屬。

8.如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)元件陣列，其特征在于，所述金屬具有4.2eV至5.1eV的功函數(shù)。

9.一種制造非易失性存儲(chǔ)元件陣列的方法，包括以下步驟：

(a)在襯底上依次形成第一氧化膜、電荷存儲(chǔ)單元、以及包圍所述電荷存儲(chǔ)單元的第二氧化膜；

(b)在所述第二氧化膜上形成第一柵極材料；

(c)在所述第一柵極材料上形成蝕刻掩膜，并對(duì)所述蝕刻掩膜進(jìn)行構(gòu)圖；

(d)通過(guò)利用所述蝕刻掩膜作為掩模來(lái)蝕刻所述襯底，以在所述襯底中形成溝道；

(e)形成元件隔離單元以在所述溝道上方界定出有源區(qū)；

(f)去除所述蝕刻掩膜；

(g)形成第二柵極材料，以電連接形成在同一信號(hào)處理線(xiàn)上的所述第一柵極材料；并且

(h)在所述襯底的所述有源區(qū)內(nèi)形成源極和漏極。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述步驟(e)包括以下步驟：

在所述溝道以及所述蝕刻掩膜上形成溝道縫隙填充絕緣材料；并且

通過(guò)拋光或蝕刻所述溝道縫隙填充絕緣材料來(lái)形成所述元件隔離單元。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述電荷存儲(chǔ)單元由碳納米管(CNT)、富勒烯、氮化物、或納米晶材料形成。

12.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述柵極包含多晶硅或金屬。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述金屬具有4.2eV至5.1eV的功函數(shù)。