[發明專利]具有多功能整合芯片的發光二極管封裝結構及其封裝方法

有效

• 申請號: 200810084548.3
• 申請日: 2008-03-25
• 公開（公告）號: CN101546756A
• 公開（公告）日: 2009-09-30
• 發明（設計）人: 汪秉龍;巫世裕;吳文逵
• 申請（專利權）人: 宏齊科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L25/16;H01L21/50
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 梁 揮;祁建國

1.一種具有多功能整合芯片的發光二極管封裝結構，其特征在于，包括：

一基板單元；

一發光單元，其具有多個電性地設置于該基板單元上的發光二極管芯片；

一芯片單元，其電性地設置于該基板單元上，并且該芯片單元設置于該發光單元與一電源之間；

一封裝膠體單元，其覆蓋于該等發光二極管芯片上，該封裝膠體單元為一相對應該等發光二極管芯片的條狀熒光膠體；以及

一框架單元，其用于包覆該條狀熒光膠體而只露出該條狀熒光膠體的側表面，其中該條狀熒光膠體的上表面及前表面分別具有一膠體弧面及一膠體出光面，并且該框架單元為一不透光框架層。

2.如權利要求1所述的具有多功能整合芯片的發光二極管封裝結構，其特征在于：該基板單元為一印刷電路板、一軟基板、一鋁基板、一陶瓷基板、或一銅基板。

3.如權利要求1所述的具有多功能整合芯片的發光二極管封裝結構，其特征在于：該基板單元具有一基板本體、及分別形成于該基板本體上的一正極導電軌跡與一負極導電軌跡。

4.如權利要求3所述的具有多功能整合芯片的發光二極管封裝結構，其特征在于：該基板本體包括一金屬層及一成形在該金屬層上的電木層。

5.如權利要求3所述的具有多功能整合芯片的發光二極管封裝結構，其特征在于：該正、負極導電軌跡為鋁線路或銀線路。

6.如權利要求3所述的具有多功能整合芯片的發光二極管封裝結構，其特征在于：每一個發光二極管芯片具有分別電性連接于該基板單元的正、負極導電軌跡的一正極端與一負極端。

7.如權利要求1所述的具有多功能整合芯片的發光二極管封裝結構，其特征在于：該芯片單元為一定電流芯片(ConstAnt-Current?Chip)、一脈沖寬度調變控制芯片(PWM?Control?Chip)、一區域控制芯片(zone?Control?Chip)、一過熱保護芯片(OTP?Chip)、一過電流保護芯片(OCP?Chip)、一過電壓保護芯片(OVP?Chip)、一抗電磁干擾芯片(Anti-EMI?Chip)、或一抗靜電芯片(Anti-ESD?Chip)。

8.如權利要求1所述的具有多功能整合芯片的發光二極管封裝結構，其特征在于：該芯片單元為一定電流芯片(ConstAnt-Current?Chip)、一脈沖寬度調變控制芯片(PWM?Control?Chip)、一區域控制芯片(zone?Control?Chip)、一過熱保護芯片(OTP?Chip)、一過電流保護芯片(OCP?Chip)、一過電壓保護芯片(OVP?Chip)、一抗電磁干擾芯片(Anti-EMI?Chip)、及一抗靜電芯片(Anti-ESD?Chip)的任意組合。

9.如權利要求1所述的具有多功能整合芯片的發光二極管封裝結構，其特征在于：該芯片單元由一定電流芯片(ConstAnt-Current?Chip)、一脈沖寬度調變控制芯片(PWM?Control?Chip)、一區域控制芯片(zone?Control?Chip)、一過熱保護芯片(OTP?Chip)、一過電流保護芯片(OCP?Chip)、一過電壓保護芯片(OVP?Chip)、一抗電磁干擾芯片(Anti-EMI?Chip)、及一抗靜電芯片(Anti-ESD?Chip)組合而成。

10.如權利要求1所述的具有多功能整合芯片的發光二極管封裝結構，其特征在于：該條狀熒光膠體由一硅膠(siliCon)與一熒光粉(fluoresCent?powder)混合而成或由一環氧樹脂(epoxy)與一熒光粉(fluoresCent?powder)混合而成。

11.一種具有多功能整合芯片的發光二極管封裝結構，其特征在于，包括：

一基板單元；

一發光單元，其具有多個電性地設置于該基板單元上的發光二極管芯片；

一芯片單元，其電性地設置于該基板單元上，并且該芯片單元設置于該發光單元與一電源之間；

一封裝膠體單元，其具有多個覆蓋這些發光二極管芯片的熒光膠體；以及

一框架單元，其具有多個框架層，并且每一個框架層用于圍繞該相對應的熒光膠體而只露出該相對應熒光膠體的上表面，其中該等框架層為多個不透光框架層。