[發明專利]導線架及其制作方法有效
| 申請號: | 200810084471.X | 申請日: | 2008-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN101546711A | 公開(公告)日: | 2009-09-30 |
| 發明(設計)人: | 朱新昌 | 申請(專利權)人: | 一詮精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/495;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京天平專利商標代理有限公司 | 代理人: | 孫 剛 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導線 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明關于一種導線架及其制作方法,且特別是有關于一種先制作厚薄料帶繼而制成導線架的方法。
背景技術
由于目前對高亮度照明的需求越來越高,一般作法系封裝多個發光晶片于導線架上,并且由于發光晶片的體積小以及彼此間距小的緣故,產生的熱量密度很高。為了解決導線架的散熱問題,最直接的作法系將導線架接合一散熱基座,或是將散熱基座與支架一起埋入射出,進而將發光晶片置于散熱基座上以增進散熱效率。
然而,此一作法需額外開模制作散熱基座,還需進行散熱基座與導線架的接合加工,導線架的設計也需配合散熱基座,因此增加了生產流程的復雜度以及制造成本。故目前作法系利用一厚薄料帶,較厚部份可制作基座,較薄部份可制作支架,因此沖壓該厚薄料帶以制作導線架的支架的同時,可一并沖壓出散熱基座,進而不需進行導線架與散熱基座的接合加工,如中國臺灣專利I246209號、中國臺灣專利523941號以及中國臺灣專利200735417號所述。
如中國臺灣專利I246209號所述,首先需制作出如圖1所示的具有凸條10的料帶1,接著進行沖切以形成導線架的基座與支架,基座位于凸條10,支架位于料帶1上較薄的位置。此外,如中國臺灣專利523941號所述,可對圖2A所示的厚銅板2進行切削加工以制成厚薄料帶,或是對圖2B所示的薄銅板3與厚銅板4進行接合加工以制成厚薄料帶,進而可加工制成導線架與散熱基座。再者,如中國臺灣專利200735417號所述,對圖3所示的異形材5進行沖壓加工,厚度較薄部50可形成內接線部及晶片焊墊部,厚度較厚部52可形成接電部。
上述三個專利所述的制造方法皆有一缺點,系需對整個料帶先行加工處理或是需要購買特定形狀的料帶(亦即,異形材),才能進行后續流程。另外,如圖1所示的料帶1的凸條10系一長條狀,所以整個料帶只能具有一種厚薄比例,因此也無法隨意的控制厚薄程度。圖2A所示的厚銅板2需另一種加工設備-銑床,以進行切削程序,圖2B所示的薄銅板3與厚銅板4的接合也需焊接程序或是壓合程序,也是非沖床設備所能提供的功能,制造上較為耗時也耗工。圖3所示的異形材5,雖然不需進行制成厚薄料帶的加工,但需花費額外的購買成本,并且也同樣具有與圖一所示的料帶1的缺點,亦即,同一料帶中無法隨意地控制厚薄比例。
爰是,如何提供另一種制作厚薄料帶繼而制成導線架的方法,并且制作流程相較先前技術來得省時省工,即為本發明中所欲解決的問題。
發明內容
本發明的目的在于,提供一種導線架制作方法,能于一次制作流程中制作厚薄料帶繼而制成導線架。
為了達成上述目的,制作導線架的方法包含下列步驟。首先,執行第一次沖壓,于一料帶上沖壓成型有兩組相對應的貫穿槽;接著,執行第二次沖壓,于每一組貫穿槽之間沖壓成型有一薄材部,并使兩薄材部之間形成有一厚材部,其中兩薄材部的厚度小于該厚材部的厚度;接著,執行第三次沖壓,使兩薄材部沖壓形成兩接線部,而厚材部沖壓形成一基座,且兩接線部及該基座間形成有一間隔。
藉以透過沖壓方式將料帶區域性地擠壓以形成厚薄材料,進而可對厚薄材料沖切出導線架。
本發明的另一目的在于,提供一種導線架,具有數個導線架區塊,每一導線架區塊具有厚度落差的支架,讓支架不需折彎加工就可與電路板直接接觸。
為了達成上述目的,導線架主要系一料帶上成型有數導線架區塊,每一導線架區塊間形成有連接部,各導線架區塊包含兩支架、基座以及絕緣殼體。每一支架包含接線部與接電部,該接電部的厚度略大于接線部,且該接電部與該料帶的連接部連結;基座介于兩支架的接線部間,且該基座與各支架的接線部間具有一間隔,并與該各支架的接電部間形成有一凹陷空間;絕緣殼體包覆兩支架及基座,并與該基座形成有供發光晶片承載的固晶區域,且該支架的接線部凸露于該固晶區域中,該接電部凸露于該絕緣殼體的外側,同時該絕緣殼體填入該間隔及該凹陷空間內。
藉此,由于支架的接電部的厚度大于接線部的厚度,且凸露于絕緣殼體的外側,因此導線架設置于電路板上時,支架的接電部無需彎折而可直接與電路板相接觸,并且較薄的接線部與填入凹陷空間的絕緣殼體可避免與接線部與基座相接觸而產生短路的可能性,此凹陷空間亦有助于絕緣殼體抓持基座的功用。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





