[發明專利]導線架及其制作方法有效
| 申請號: | 200810084471.X | 申請日: | 2008-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN101546711A | 公開(公告)日: | 2009-09-30 |
| 發明(設計)人: | 朱新昌 | 申請(專利權)人: | 一詮精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/495;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京天平專利商標代理有限公司 | 代理人: | 孫 剛 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導線 及其 制作方法 | ||
1.一種導線架制作方法,其特征在于,包含下列步驟:
(a)第一次沖壓,于一料帶上沖壓成型有二組相對應的貫穿槽;
(b)第二次沖壓,于每一組貫穿槽之間沖壓成型有一薄材部,并使二薄材部之間形成有一厚材部,其中二薄材部的厚度小于該厚材部的厚度;以及
(c)第三次沖壓,使二薄材部沖壓形成兩接線部,而厚材部沖壓形成一基座,且兩接線部及該基座間形成有一間隔,
所述各接線部與該料帶間形成有一接電部,使該接線部與該料帶連結,且該接電部的厚度與該基座的厚度相同。
2.如權利要求1所述的導線架制作方法,其特征在于,進一步包含下列步驟于步驟(c)之后:
(d)射出一絕緣殼體包覆該接線部及該基座。
3.如權利要求1所述的導線架制作方法,其特征在于,兩接線部上進一步各沖壓形成有通孔。
4.如權利要求1所述的導線架制作方法,其特征在于,該基座與該料帶間進一步形成有一支撐支架,使該基座與該料帶連接。
5.如權利要求1所述的導線架制作方法,其特征在于,接電部的底部表面與該基座的底部表面共平面。
6.一種導線架,其特征在于,系一料帶上成型有數導線架區塊,每一導線架區塊間形成有連接部,各導線架區塊,包含:
兩支架,每一支架包含一接線部與一接電部,該接電部的厚度大于接線部,且該接電部與該料帶的連接部連結;
一基座,介于兩支架的接線部間,該基座的厚度與該接電部的厚度相同,且該基座與各支架的接線部間具有一間隔,并與該各支架的接電部間形成有一凹陷空間;以及
一絕緣殼體,包覆二支架及基座,并與該基座形成有供發光晶片承載的固晶區域,且該支架的接線部凸露于該固晶區域中,該接電部凸露于該絕緣殼體的外側,同時該絕緣殼體填入該間隔及該凹陷空間內。
7.如權利要求6所述的導線架,其特征在于,該接電部與該連接部的厚度相同。
8.如權利要求6所述的導線架,其特征在于,該基座具有一上表面以及一底表面,該基座的上表面用以承載發光晶片,底表面則暴露于該絕緣殼體的底部。
9.一種導線架,其特征在于,用以承載至少一發光晶片,包含:
兩支架,每一支架包含一接線部與一接電部,該接電部的厚度大于接線部;
一基座,介于兩支架的接線部間,該接電部的厚度與該基座的厚度相同,且該基座與各支架的接線部間具有一間隔,并與該各支架的接電部間形成有一凹陷空間;以及
一絕緣殼體,包覆二支架及基座,并與該基座形成有供發光晶片承載的固晶區域,且該支架的接線部凸露于該固晶區域中,該接電部凸露于該絕緣殼體的外側,同時該絕緣殼體填入該間隔及該凹陷空間內。
10.如權利要求9所述的導線架,其特征在于,該基座具有一上表面以及一底表面,該基座的上表面用以承載發光晶片,底表面則暴露于該絕緣殼體的底部。
11.如權利要求10所述的導線架,其特征在于,該接電部進一步包含有一底部表面,其該底部表面與該基座的底表面共平面。
12.如權利要求10或11所述的導線架,其特征在于,該絕緣殼體進一步包含有一底部表面,該底部表面與該基座的底表面共平面。
13.如權利要求9所述的導線架,其特征在于,該接線部上進一步包含有一通孔,且該絕緣殼體填入該通孔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





