[發明專利]集成電路結構

有效

• 申請號: 200810084038.6
• 申請日: 2008-03-18
• 公開（公告）號: CN101308834A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 陳承先;郭正錚;卿愷明;陳志華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L27/02
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳紅

1.一種集成電路結構，包括：

襯底；

穿透硅通道，形成于一穿透硅通道開口中并位于該襯底之內，其中該穿 透硅通道從該襯底的一上表面延伸至該襯底的一下表面，該上表面和該下表 面是該襯底的相對兩表面；

硬掩膜，由該襯底該上表面延伸進入該襯底，其中該硬掩膜環繞該穿透 硅通道的上方部分；

多個介電層，位于該襯底上方；

金屬柱，形成于一開口中并由該介電層的上表面延伸至該穿透硅通道， 其中該金屬柱包括與該穿透硅通道的填充材料相同的材料；以及

擴散阻擋層，覆蓋于該開口和該穿透硅通道開口的側壁以及該穿透硅通 道開口的底部，并與該開口和該穿透硅通道開口共形。

2.根據權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，還包括環形的蝕 刻終止層，位于該介電層與該硬掩膜之間，其中該蝕刻終止層僅環繞該金屬 柱的下方部分。

3.根據權利要求2所述的集成電路結構，其特征在于，該蝕刻終止層是 多晶硅層，且該襯底是硅襯底。

4.根據權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，該硬掩膜的厚度 小于該穿透硅通道的高度。

5.根據權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，該硬掩膜的厚度 小于1μm。

6.根據權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，該穿透硅通道的 側壁具有小于90°的傾斜角度。

7.根據權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，還包括一淺溝槽 絕緣區，用來絕緣多個有源器件，其中該硬掩膜與該淺溝槽絕緣區具有相同 的厚度，并且由相同材料所構成。

8.根據權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，該金屬柱的側壁 從一端逐漸變窄，且該金屬柱上方部分的寬度大于該金屬柱下方部分的寬度。

9.一種集成電路結構，包括：

襯底；

淺溝槽絕緣區，由該襯底的上表面向該襯底內部延伸，且該淺溝槽絕緣 區形成一環；

多晶硅環，位于該淺溝槽絕緣區上；

多個低介電系數介電層，位于該襯底與該多晶硅環之上；

導電結構，由該低介電系數介電層的上表面延伸進入該襯底，其中該導 電結構包括位于該低介電系數介電層之中的金屬柱，以及貫穿該多晶硅環和 該淺溝槽絕緣區所形成的環的穿透硅通道，該金屬柱形成于一開口中并由該 低介電系數介電層的上表面延伸至該穿透硅通道，該穿透硅通道形成于一穿 透硅通道開口中并位于該襯底之內，其中該穿透硅通道從該襯底的一上表面 延伸至該襯底的一下表面，該上表面和該下表面是該襯底的相對兩表面；以 及

擴散阻擋層，覆蓋于該開口和該穿透硅通道開口的側壁以及該穿透硅通 道開口的底部，并與該開口和該穿透硅通道開口共形。

10.根據權利要求9所述的集成電路結構，其特征在于，該穿透硅通道 的外形從一端逐漸變窄，且該穿透硅通道的上方部分的寬度大于該穿透硅通 道的下方部分的寬度。

11.根據權利要求9所述的集成電路結構，其特征在于，該導電結構的 該穿透硅通道具有一高度，該高度大于該淺溝槽絕緣區的厚度。

12.根據權利要求9所述的集成電路結構，其特征在于，該淺溝槽絕緣 區的厚度小于1μm，且該多晶硅環的厚度小于1μm。

13.根據權利要求9所述的集成電路結構，其特征在于，該多晶硅環的 內側側壁與該淺溝槽絕緣區的內側側壁連續相連。

14.根據權利要求9所述的集成電路結構，其特征在于，該多晶硅環和 該淺溝槽絕緣區均是圓環。