[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的固晶方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810084033.3
• 申請日: 2008-03-18
• 公開（公告）號: CN101540355A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭信男;趙自皓;陳群鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 億光電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/78
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 梁 揮;祁建國

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管(以下稱LED)的固晶方法，且特別涉及一種利 用光阻層控制錫膏位置和量的固晶方法。

背景技術(shù)

LED封裝的主要目的是在于確保LED芯片和支架之間正確地連接和電性 接觸，以及保護(hù)芯片不受到機(jī)械、熱、潮濕及其它種種的外來沖擊。因此，為 了使LED能有效地散熱，LED的支架多采用具有高導(dǎo)熱、導(dǎo)電性的材料，例 如銅、鋁等金屬。同時(shí)，用來將芯片固定于支架上的膠材也多采用具有高導(dǎo)熱 性和高導(dǎo)電性的物質(zhì)，例如銀膠。

銀膠固晶是目前LED產(chǎn)業(yè)界最廣泛使用的一種固晶方式。銀膠在環(huán)氧樹脂 中加入一定比例的銀粉，使其具有導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性。銀膠的熱傳系數(shù)約為20 W/m.℃到25W/m.℃范圍之間，適用于一般低功率LED的固晶工藝，然而在高 功率LED中，則略嫌不足。由于當(dāng)芯片通過高電流時(shí)，LED組件會產(chǎn)生高熱， 熱必須快速傳導(dǎo)到散熱結(jié)構(gòu)，不然將損壞LED組件，故需要較高熱導(dǎo)系數(shù)的膠 材。雖然在銀膠中摻入較高比例的銀粉可以提高銀膠的導(dǎo)電與導(dǎo)熱性，但卻也 同時(shí)下降環(huán)氧樹脂的比例，造成固晶強(qiáng)度不足。

現(xiàn)行固晶工藝包含一點(diǎn)膠工藝，是將膠材點(diǎn)在支架或基板上，以便將芯片 固定于支架上。基于膠材的聚合特性的不同，不易維持一定量的取膠量。再者， 由于固晶的精準(zhǔn)度約為±50微米，因此容易發(fā)生膠材外漏的現(xiàn)象，進(jìn)而產(chǎn)生 LED發(fā)出的光被外漏膠材吸收的疑慮。

基于上述理由，因此需要一種新的LED固晶方法，得以使用較高熱導(dǎo)性的 膠材，且具有較高精準(zhǔn)度的固晶方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的就是在提供一種發(fā)光二極管(以下稱LED)的固晶方法，在 LED芯片上形成一光阻層，并填入錫膏的固晶方法，用以控制填入的錫膏的膠 量和厚度。依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例，其固晶方法首先為在一LED芯片的外延 層一表面上形成一光阻層，稱為第一光阻層。在第一光阻層中填入一金屬層后， 接著再形成另一層光阻層，稱為第二光阻層。第二光阻層覆蓋在第一光阻層和 金屬層上，且圖案對齊于LED芯片切割道的圖案。隨后將錫膏填入第二光阻層 的圖案中，進(jìn)行回焊步驟和移除第一與第二光阻層。由固定光阻層凹陷部分的 大小可控制填入的錫膏的厚度，也可掌握錫膏的均勻度。同時(shí)因?yàn)殄a膏先形成 在芯片上，因此進(jìn)行固晶工藝時(shí)，不用受限于機(jī)臺的精準(zhǔn)度，導(dǎo)致漏膠的問題。

本發(fā)明所揭露的實(shí)施例具有下列優(yōu)點(diǎn)：一、只要掌握第二光阻層的圖案與 厚度，即可控制填入的錫膏的位置與劑量，避免因?yàn)槟z材的物理和化學(xué)特性所 導(dǎo)致取膠劑量不易控制的問題。二、現(xiàn)行LED的工藝中的點(diǎn)膠步驟可被刪除， 因此具有節(jié)省成本與簡化工藝的優(yōu)點(diǎn)。三、因?yàn)榈诙庾鑼拥膱D案對齊LED 芯片切割道的圖案，所以第二光阻層的凹陷部分即對齊LED晶粒，故填入的錫 膏的位置和LED晶粒的位置相同，進(jìn)而去除現(xiàn)行的固晶過程中膠材外漏的問 題。

由上述可知，應(yīng)用本發(fā)明進(jìn)行LED固晶工藝具有控制錫膏用量與位置的優(yōu) 點(diǎn)，且因?yàn)殄a膏與芯片一體成形，可免除在將晶粒固定于支架的過程中因精準(zhǔn) 度而造成的膠材外漏問題，進(jìn)而消弭光被吸收的疑慮。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的 限定。

附圖說明

圖1至圖7A為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的LED裝置的工藝剖面圖；

圖7B為本發(fā)明的LED裝置組裝完成的示意圖；

其中，附圖標(biāo)記

102：外延層??????????104：藍(lán)寶石層

106：LED?????????????108：切割道

202：第一光阻層??????302：金屬層

402：錫膏????????????404：第二光阻層

602：接觸墊??????????700：晶粒

704：散熱結(jié)構(gòu)

具體實(shí)施方式

本發(fā)明較佳實(shí)施例的制造與使用方式詳細(xì)描述如下所示。本發(fā)明提供創(chuàng)新 概念并且能夠廣泛地應(yīng)用在各種專業(yè)領(lǐng)域。本發(fā)明較佳實(shí)施例僅用于描述本發(fā) 明的制造和使用過程中每一特定方法，然其并非用于限制本發(fā)明。而且，在后 述內(nèi)容中提及一第一特征形成于一第二特征之上，其中實(shí)施例可包含有：第一 特征與第二特征是直接接觸而形成的實(shí)施例，或者是在實(shí)施例的第一特征和第 二特征之間插入額外特征，使得第一特征不直接接觸于第二特征。