[發(fā)明專利]半導(dǎo)體激光裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810083805.1
• 申請(qǐng)日: 2008-03-07
• 公開（公告）號(hào): CN101262121A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吉田保明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01S5/10
• 分類號(hào): H01S5/10;H01S5/028;H01S5/00
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張雪梅;劉宗杰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光盤系統(tǒng)或光通信等中所使用的半導(dǎo)體激光裝置，更詳細(xì)地說(shuō)，涉及使用了氮化鎵系半導(dǎo)體的藍(lán)色半導(dǎo)體激光裝置。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體激光裝置被廣泛用于光盤系統(tǒng)或光通信等中(例如，參照專利文獻(xiàn)1～3。)。這樣的半導(dǎo)體激光裝置具有用于產(chǎn)生激光的諧振器。在其一端設(shè)有用于射出激光的前端面，在其另一端設(shè)有后端面。在前端面和后端面上包覆有叫做涂敷膜的絕緣膜，以減小半導(dǎo)體激光的工作電流、防止反射光、實(shí)現(xiàn)高輸出。

通常，在要求高輸出的半導(dǎo)體激光裝置中，在前端面?zhèn)刃纬捎蟹瓷渎实偷耐糠竽ぃ诤蠖嗣鎮(zhèn)刃纬捎蟹瓷渎矢叩耐糠竽ぁ：蠖嗣鎮(zhèn)鹊耐糠竽さ姆瓷渎释ǔＴ?0％以上，優(yōu)選80％以上。前端面的反射率不僅是低就可以，而且要根據(jù)半導(dǎo)體激光所要求的特性進(jìn)行選定。例如，在和光纖光柵一起使用的光纖放大器激勵(lì)用半導(dǎo)體激光器中反射率選定為0.01～3％程度，在通常的高輸出半導(dǎo)體激光器中反射率選定為3～7％程度，在需要反射光對(duì)策的情況下，反射率選定為7～20％程度。

涂敷膜也可以作為端面的保護(hù)膜即半導(dǎo)體界面的鈍化膜發(fā)揮作用(例如，參照專利文獻(xiàn)3。)。但是，因?yàn)榘凑漳さ男纬煞椒ǎ嗣媸艿綋p害導(dǎo)致特性劣化，所以，其制法愈顯重要。

在專利文獻(xiàn)4中，使用陽(yáng)極氧化膜作為GaInAsP半導(dǎo)體的保護(hù)膜。另一方面可知，在現(xiàn)有氮化鎵系半導(dǎo)體激光器中，容易引起涂敷膜剝離，發(fā)生端面劣化。作為其對(duì)策，將薄的金屬或其氧化膜作為粘合層插入涂敷膜和半導(dǎo)體之間的結(jié)構(gòu)已被提出(參照專利文獻(xiàn)5)。另外，將薄的六方晶體的結(jié)晶作為粘合層插入涂敷膜和半導(dǎo)體之間的結(jié)構(gòu)也已被提出(參照專利文獻(xiàn)6)。

專利文獻(xiàn)1：特許第3080312號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：特開2002-100830號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：特開2004-296903號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)4：特開昭59-232477號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)5：特開2002-335053號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)6：特開2006-203162號(hào)公報(bào)

但是，金屬粘合層在電絕緣性(短路)方面存在問(wèn)題。另外，用濺射法制作金屬氧化膜的情況在厚度控制方面存在問(wèn)題。進(jìn)而，最好是，涂敷膜為非結(jié)晶或單結(jié)晶，但六方晶體的單結(jié)晶制作較困難。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是為解決上述問(wèn)題而開發(fā)的，其目的在于，提供一種在涂敷膜和半導(dǎo)體之間具備容易形成的粘合層的半導(dǎo)體激光裝置。

本發(fā)明的其它目的及優(yōu)點(diǎn)從以下的記載可以明了。

本發(fā)明涉及氮化鎵系半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，具備：沿激光的行進(jìn)方向設(shè)置的諧振器；設(shè)于所述諧振器的一端且射出所述激光的第一端面；以及，設(shè)于所述諧振器的另一端的第二端面，在所述第一端面及所述第二端面的至少一個(gè)面上具有由金屬或硅的陽(yáng)極氧化膜構(gòu)成的粘合層，和涂敷膜。

根據(jù)本發(fā)明，由于在涂敷膜和半導(dǎo)體之間形成有粘合層，因此，可以得到長(zhǎng)壽命的半導(dǎo)體激光裝置。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的立體圖；

圖2(a)是圖1的半導(dǎo)體激光裝置的前端面附近的放大剖面圖，(b)是(a)的比較例；

圖3是可適用于本實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造中的等離子體陽(yáng)極氧化裝置的結(jié)構(gòu)圖。

符號(hào)說(shuō)明

1???GaN襯底

2???n型包層

3???活性層

4???p型包層

5???脊

6???p電極

7????n電極

8????前端面

9????后端面

21，23???粘合層

22，24，32，34???涂敷層

101??等離子體陽(yáng)極氧化裝置

102??真空容器

103??上部電極

104??下部電極

105??氣體導(dǎo)入管

107??高頻電源

108??高頻線圈

109??DC電源

110??激光桿

111??石英罩

具體實(shí)施方式

下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，在各圖中，對(duì)相同或相當(dāng)?shù)牟糠指杜c相同符號(hào)，對(duì)其說(shuō)明簡(jiǎn)化乃至省略。

圖1表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的立體圖。該半導(dǎo)體激光裝置是發(fā)生藍(lán)色激光的氮化鎵系半導(dǎo)體激光裝置，并且是使用GaN襯底1形成的。