[發明專利]半導體激光裝置無效
| 申請號： | 200810083805.1 | 申請日： | 2008-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN101262121A | 公開（公告）日： | 2008-09-10 |
| 發明（設計）人： | 吉田保明 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/10 | 分類號： | H01S5/10;H01S5/028;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 張雪梅;劉宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 激光 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種氮化鎵系半導體激光裝置，其特征在于，具備：
沿激光的行進方向設置的諧振器；
設于所述諧振器的一端、且射出所述激光的第一端面；以及
設于所述諧振器的另一端的第二端面，
在所述第一端面及所述第二端面的至少一個面上具有由金屬或硅的陽極氧化膜構成的粘合層、和涂敷膜。
2.如權利要求1所述的氮化鎵系半導體激光裝置，其特征在于，
所述粘合層由鋁(Al)、鈦(Ti)、鈮(Nb)、鋯(Zr)、鉭(Ta)、硅(Si)或鉿(Hf)的陽極氧化膜構成，且厚度為10nm以下。
3.如權利要求2所述的氮化鎵系半導體激光裝置，其特征在于，
所述陽極氧化膜是通過等離子體陽極氧化而形成的氧化膜。
4.如權利要求2或3所述的氮化鎵系半導體激光裝置，其特征在于，
所述陽極氧化膜是在200～600℃下進行退火而形成的氧化膜。
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