[發明專利]半導體裝置的制造方法及背照式半導體裝置

有效

• 申請號: 200810083566.X
• 申請日: 2008-03-12
• 公開（公告）號: CN101266946A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發明（設計）人: 蕭國裕;劉銘棋;許慈軒;蔡嘉雄
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/822;H01L27/146
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳晨;吳世華

技術領域

本發明涉及一種半導體裝置，且特別涉及一種制造背照式影像傳感器(backside?illuminated?imaging?sensor)的制造方法。

背景技術

在半導體技術當中，背照式傳感器被用來檢測朝向半導體基板背面照射的影像光源。背照式傳感器可形成于基板的正面，而照向基板背面的光源能夠傳到傳感器。然而，在制造背照式傳感器時所使用的退火工藝會造成表面粗糙化，這會影響背照式傳感器的光照響應及增加漏電流。因此需要提供一種改良式的背照式傳感器，和/或背照式傳感器的制造方法。

發明內容

為達成上述目的，本發明提供一種半導體裝置的制造方法，包括下列步驟：提供基板，該基板包含第一表面以及第二表面，其中至少有一個影像傳感器鄰接于該第一表面；利用局部退火工藝以活化在該半導體基板中鄰接該于第二表面的摻雜層；以及對該摻雜層進行蝕刻工藝。

上述半導體裝置的制造方法中，該蝕刻工藝可以介于約攝氏20度至60度范圍間的溫度進行蝕刻。

上述半導體裝置的制造方法中，該蝕刻工藝可以介于約2分鐘至10分鐘范圍間的時間進行蝕刻。

上述半導體裝置的制造方法中，該蝕刻工藝可以介于每分鐘約100埃至1000埃范圍間的蝕刻速率進行蝕刻。

上述半導體裝置的制造方法中，該摻雜層的厚度可介于約500埃至5000埃之間。

上述半導體裝置的制造方法中，該蝕刻工藝可在該第二表面上提供小于約20埃的表面粗糙度。

上述半導體裝置的制造方法中，該蝕刻工藝可包含濕化學蝕刻法。

本發明又提供一種背照式影像傳感器的制造方法，包括下列步驟：提供基板，該基板包含第一表面以及第二表面；在該第一表面上形成多個影像傳感器；在該第二表面上形成正型摻雜層；利用局部退火工藝活化摻雜層及進行蝕刻工藝；并在該正型摻雜層上沉積或涂布抗反射層和制作多個彩色濾鏡；以及在鄰接上述多個彩色濾鏡的位置形成多個微透鏡。

上述背照式影像傳感器的制造方法中，該蝕刻工藝可在該第二表面上提供小于約20埃的表面粗糙度。

上述背照式影像傳感器的制造方法還可包含：在鄰接所述多個影像傳感器的該第一表面上形成多層互連線。

上述背照式影像傳感器的制造方法中，該蝕刻工藝可包含濕化學蝕刻法。

本發明還提供一種背照式半導體裝置，包含：半導體基板，具有第一表面以及第二表面；多個影像傳感器，形成于鄰接該第一表面的該半導體基板內的位置；正型摻雜層，形成于鄰接該第二表面的該半導體基板內的位置，其中該正型摻雜層的厚度介于約500埃至5000埃之間；抗反射層，沉積或涂布于鄰接該正型摻雜層上；多個彩色濾鏡，形成于鄰接該抗反射層的位置；以及多個微透鏡，形成于鄰接該彩色濾鏡的位置。

上述背照式半導體裝置中，該正型摻雜層的制造方法可包括下列步驟：利用局部退火工藝以活化正型離子摻雜層；以及對該正型離子摻雜層進行蝕刻工藝。

上述背照式半導體裝置中，該蝕刻工藝可在該第二表面上提供小于約20埃的表面粗糙度。

本發明能夠改善半導體裝置特別是背照式影像傳感器和背照式半導體裝置的光照響應。

附圖說明

圖1為顯示本發明優選實施例的制造半導體裝置方法的流程圖。

圖2為顯示本發明優選實施例中半導體基板的剖面圖。

圖3為顯示本發明優選實施例中，在圖2的半導體基板上形成的多個影像傳感器的剖面圖。

圖4為顯示本發明優選實施例中，在圖3的半導體基板上形成的多層互連線的剖面圖。

圖5為顯示本發明優選實施例中，圖4的半導體基板反轉后的剖面圖。

圖6為顯示本發明優選實施例中，在圖5的半導體基板上形成的正型摻雜層的剖面圖。

圖7為顯示本發明優選實施例中，圖6的半導體基板上的正型摻雜層在經過蝕刻工藝之后的剖面圖。

圖8為顯示本發明優選實施例中，在鄰接圖7半導體基板上的正型摻雜層的位置形成的多個彩色濾鏡的剖面圖。

圖9為顯示本發明優選實施例中，在鄰接圖8半導體基板上的彩色濾鏡的位置形成的多個微透鏡的剖面圖。

其中，附圖標記說明如下：

102a半導體基板；????102b第一表面；

102c第二表面；??????104a影像傳感器；

106a多層互連線；????106b層間絕緣層；

108a正型摻雜層；????112a彩色濾層；

112b彩色濾鏡；??????114a微透鏡。

具體實施方式