[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置的制造方法及背照式半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810083566.X
• 申請(qǐng)日: 2008-03-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101266946A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蕭國(guó)裕;劉銘棋;許慈軒;蔡嘉雄
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/82
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/82;H01L21/822;H01L27/146
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳晨;吳世華

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括下列步驟：

提供基板，該基板包含第一表面以及第二表面，其中至少有一個(gè)影像傳感器鄰接于該第一表面；

利用局部退火工藝以活化在該半導(dǎo)體基板中鄰接該第二表面的摻雜層；以及

對(duì)該摻雜層進(jìn)行蝕刻工藝。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該蝕刻工藝以介于約攝氏20度至60度范圍間的溫度進(jìn)行蝕刻。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該蝕刻工藝以介于約2分鐘至10分鐘范圍間的時(shí)間進(jìn)行蝕刻。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該蝕刻工藝以介于每分鐘約100埃至1000埃范圍間的蝕刻速率進(jìn)行蝕刻。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該摻雜層的厚度介于約500埃至5000埃之間。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該蝕刻工藝在該第二表面上提供小于約20埃的表面粗糙度。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該蝕刻工藝包含濕化學(xué)蝕刻法。

8.一種背照式影像傳感器的制造方法，包括下列步驟：

提供基板，該基板包含第一表面以及第二表面；

在該第一表面上形成多個(gè)影像傳感器；

在該第二表面上形成正型摻雜層；

利用局部退火工藝活化摻雜層及進(jìn)行蝕刻工藝；

在該正型摻雜層上形成多個(gè)彩色濾鏡；以及

在鄰接所述多個(gè)彩色濾鏡的位置形成多個(gè)微透鏡。

9.如權(quán)利要求8所述的背照式影像傳感器的制造方法，其中該蝕刻工藝在該第二表面上提供小于約20埃的表面粗糙度。

10.如權(quán)利要求8所述的背照式影像傳感器的制造方法，其中還包含：

在鄰接所述多個(gè)影像傳感器的該第一表面上形成多層互連線。

11.如權(quán)利要求8所述的背照式影像傳感器的制造方法，其中該蝕刻工藝包含濕化學(xué)蝕刻法。

12.一種背照式半導(dǎo)體裝置，包括：

半導(dǎo)體基板，具有第一表面以及第二表面；

多個(gè)影像傳感器，形成于鄰接該第一表面的該半導(dǎo)體基板內(nèi)的位置；

正型摻雜層，形成于鄰接該第二表面的該半導(dǎo)體基板內(nèi)的位置，其中該正型摻雜層的厚度介于約500埃至5000埃之間；

多個(gè)彩色濾鏡，形成于鄰接該正型摻雜層的位置；以及

多個(gè)微透鏡，形成于鄰接該彩色濾鏡的位置。

13.如權(quán)利要求12所述的背照式半導(dǎo)體裝置，其中該正型摻雜層的制造方法包括下列步驟：

利用局部退火工藝以活化正型離子摻雜層；以及

對(duì)該正型離子摻雜層進(jìn)行蝕刻工藝。

14.如權(quán)利要求13所述的背照式半導(dǎo)體裝置，其中該蝕刻工藝在該第二表面上提供小于約20埃的表面粗糙度。