[發(fā)明專利]研磨液組合物

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810082982.8
• 申請(qǐng)日: 2003-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101240159A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大島良曉;西本和彥;萩原敏也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 花王株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C09K3/14
• 分類號(hào): C09K3/14;B24B37/04;B24B29/00
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 陳建全

本申請(qǐng)是2003年12月26日提交的中國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?00310124681.4的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于存儲(chǔ)硬盤用基板的研磨液組合物、和使用該研磨液組合物的、抑制了托架響聲和/或微凹坑產(chǎn)生的存儲(chǔ)硬盤用基板的研磨方法以及存儲(chǔ)硬盤用基板的制造方法。

背景技術(shù)

對(duì)于近年來(lái)的存儲(chǔ)硬盤驅(qū)動(dòng)器，為了尋求高容量、小徑化并提高記錄密度，要求減小單位記錄面積，降低磁頭浮動(dòng)幅度。與此相伴，在存儲(chǔ)硬盤用基板(以下稱為磁盤用基板)的制造工序中，研磨后所要求的表面質(zhì)量也日益嚴(yán)格，表面粗糙度以及起伏的大小和深度也越來(lái)越小。

對(duì)于這類要求，提出了對(duì)作為研磨粒子的二氧化硅粒子的粒度分布進(jìn)行研究的研磨液組合物(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

在上述文獻(xiàn)中，公開(kāi)了上述研磨液組合物，通過(guò)含有具有不同單模態(tài)數(shù)粒徑分布的膠態(tài)二氧化硅粒子群，能夠獲得平均起伏小、表面缺陷少的鋁磁盤基板。

另外已知，表面平滑性優(yōu)異、且不產(chǎn)生表面缺陷、而且能以經(jīng)濟(jì)的速度研磨的、含有具有特定粒徑分布的膠態(tài)(コロィダル)二氧化硅的研磨液組合物(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。

然而，這樣的研磨液組合物，在用研磨機(jī)對(duì)磁盤用基板進(jìn)行研磨時(shí)，會(huì)出現(xiàn)從磁盤用基板支撐裝置(托架)周邊發(fā)出吱吱聲或振動(dòng)(以下將這種現(xiàn)象稱為“托架響聲”)的情況，反而有時(shí)表面缺陷(刻痕)增加，帶來(lái)磁盤用基板表面平滑性下降。

而且，這樣的研磨液組合物，在一次性研磨使用氧化鋁磨粒時(shí)，從防止所謂由于這種氧化鋁磨粒殘留在基板表面而產(chǎn)生的凹陷缺陷(以下稱為微凹坑)的觀點(diǎn)出發(fā)，要求不需要進(jìn)行任何研究，就能進(jìn)一步的改善。

此處，所謂微凹坑，與通常的凹陷不同，是用微分干涉式光學(xué)顯微鏡不能以清晰亮點(diǎn)確認(rèn)的，以往對(duì)這種缺陷沒(méi)有進(jìn)行充分的研究，作為阻礙單位記錄面積縮小的基板表面缺陷，是近年來(lái)正被快速認(rèn)識(shí)的表面缺陷。

[專利文獻(xiàn)1]

日本特開(kāi)2002-30274號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求1)

[專利文獻(xiàn)2]

日本特開(kāi)2001-323254號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求1)

發(fā)明內(nèi)容

即，本發(fā)明的要旨涉及：

[1]、一種研磨液組合物，其是含有水和二氧化硅粒子而成的用于存儲(chǔ)硬盤用基板的研磨液組合物，其中，通過(guò)透射式電子顯微鏡(TEM)觀察測(cè)定而得到所述二氧化硅粒子的粒徑(nm)，在將從小粒徑的一側(cè)的累積體積頻率(％)相對(duì)于所述二氧化硅粒子的粒徑繪圖而得到的累積體積頻率對(duì)所述二氧化硅粒子的粒徑的曲線圖中，所述二氧化硅粒子的粒徑5-40nm范圍的累積體積頻率(V)相對(duì)于粒徑(R)滿足下式(1)：

V≤2×(R-5)?????(1)

和粒徑20-40nm范圍的累積體積頻率(V)相對(duì)于粒徑(R)滿足下式(2)：

V≥0.5×(R-20)??(2)

且累積體積頻率為90％的粒徑(D90)在65nm以上且不滿105nm的范圍。

[2]、一種研磨液組合物，是在含水介質(zhì)中含有研磨材的，用于存儲(chǔ)硬盤用基板的研磨液組合物，在該研磨材中，粒徑為5～120nm的二氧化硅粒子的含量在50體積％或以上，作為該研磨材，相對(duì)于粒徑為5～120nm的二氧化硅粒子總量粒徑在5nm～不足40nm的小粒徑二氧化硅粒子的含量為10～70體積％，相對(duì)于粒徑為5～120nm的二氧化硅粒子總量粒徑在40nm～不足80nm的中粒徑二氧化硅粒子的含量為20～70體積％，相對(duì)于粒徑為5～120nm的二氧化硅粒子總量粒徑在80nm～120nm的大粒徑二氧化硅粒子的含量為0.1～40體積％。

[3]、一種包括用上述[1]記載的研磨液組合物進(jìn)行存儲(chǔ)硬盤用基板的研磨的工序的、抑制了托架響聲產(chǎn)生的存儲(chǔ)硬盤用基板的研磨方法。

[4]、一種將上述[2]記載的研磨液組合物用于被研磨基板，減少基板微凹坑的方法。

[5]、一種包括使用上述[1]記載的研磨液組合物對(duì)鍍Ni-P存儲(chǔ)硬盤用基板進(jìn)行研磨的工序的存儲(chǔ)硬盤用基板的制造方法。

[6]、一種包括使用上述[2]記載的研磨液組合物對(duì)鍍Ni-P存儲(chǔ)硬盤用基板進(jìn)行研磨的工序的存儲(chǔ)硬盤用基板的制造方法。

[7]、一種用上述[1]記載的研磨液組合物對(duì)被研磨基板進(jìn)行研磨而成的鍍Ni-P的存儲(chǔ)硬盤用基板。

[8]、一種用上述[2]記載的研磨液組合物對(duì)被研磨基板進(jìn)行研磨而成的鍍Ni-P的存儲(chǔ)硬盤用基板。

發(fā)明的具體實(shí)施方式