[發明專利]制造顯示裝置的方法

有效

• 申請號: 200810082619.6
• 申請日: 2008-02-27
• 公開（公告）號: CN101261956A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 曹奎哲;金昌樹;咸允植
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/60
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 郭鴻禧;劉奕晴

技術領域

本公開涉及一種制造顯示裝置的方法，更詳細地講，涉及一種能夠抑制對焊盤電極的損壞的有機發光二極管(OLED)顯示器的制造方法。

背景技術

有機發光二極管(OLED)顯示器通過驅動有機發光元件來顯示圖像。有機發光元件包括陽極(例如，空穴注入電極)、有機發射層和陰極(例如，電子注入電極)。當電子和空穴分別通過陽極和陰極被注入到有機發射層時，在有機發射層中產生激子，即電子和空穴的結合體。通過激子從激發態躍遷到基態時產生的能量來發射光。

有源矩陣型OLED顯示器通常具有包括像素區和焊盤區的基底，其中，在像素區中顯示圖像，焊盤區形成在像素區外部。外部模塊安裝在焊盤電極上，焊盤電極形成在焊盤區中。在像素區中，以矩陣形式設置紅色、綠色、藍色有機發光元件。對每個有機發光元件提供至少兩個薄膜晶體管(以下，稱作“TFT”)，從而可以獨立地控制每個有機發光元件。

通常，OLED顯示器通過利用以下工藝來制造：(1)在基底上形成TFT，該TFT包括有源層、柵電極、源電極和漏電極；(2)形成平坦化層以覆蓋TFT；(3)在連接到漏電極的平坦化層上形成第一像素電極；(4)在第一像素電極上形成有機發射層和第二像素電極。在形成TFT的過程中，焊盤電極形成在焊盤區中。焊盤電極由至少一個絕緣層覆蓋。此外，焊盤電極通過形成在絕緣層中的開口暴露在基底上。

然而，在前述制造工藝中，在焊盤電極被暴露的狀態下形成第一像素電極。因此，焊盤電極可能被第一像素電極蝕刻劑損壞。即，如果焊盤電極包含可以被第一像素電極蝕刻劑蝕刻的材料，則焊盤電極可能在蝕刻第一像素電極的過程中被蝕刻，這會導致焊盤電極的斷路(disconnection)。

發明內容

一個目的在于提供一種減少對焊盤電極的損壞的顯示裝置的制造方法。

一些實施例提供了一種制造顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟：在第一基底上的像素區中形成薄膜晶體管，同時在第一基底上的焊盤區中形成焊盤電極；形成連接到薄膜晶體管的第一像素電極，并同時形成覆蓋焊盤電極的焊盤保護層；通過去除焊盤保護層來暴露焊盤電極。

第一像素電極可包含Ag。第一像素電極可包括第一透明導電層、反射層和第二透明導電層，所述反射層可包含Ag。

還可在第一像素電極上形成有機發射層和第二像素電極。可在去除焊盤保護層之前將第二基底結合到第一基底上。可通過濕蝕刻去除焊盤保護層。

形成薄膜晶體管的步驟可包括：在第一基底上順續形成有源層、柵極絕緣層和柵電極；在柵極絕緣層上形成層間絕緣層以覆蓋柵電極；在層間絕緣層上形成源電極和漏電極。

柵電極和焊盤電極可同時由相同的材料形成。在這種情況下，焊盤電極可包含從由MoW、Al、Cr和Al/Cr組成的組中選出的任何一種組分。另一方面，源電極、漏電極和焊盤電極可同時由相同的材料形成。在這種情況下，焊盤電極可包含從由Ti、Ti合金、Ta和Ta合金組成的組中選出的任何一種組分。

一些實施例提供了一種制造顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟：在第一基底上的像素區中形成薄膜晶體管，并同時在第一基底上的焊盤區中形成焊盤電極；形成連接到薄膜晶體管的第一像素電極，并同時形成覆蓋焊盤電極的焊盤保護層；通過去除焊盤保護層來暴露焊盤電極。

在一些實施例中，第一像素電極包含Ag。在一些實施例中，第一像素電極包括第一透明導電層、反射層和第二透明導電層，所述反射層包含Ag。

一些實施例還包括在第一像素電極上形成有機發射層和第二像素電極。

一些實施例還包括在去除焊盤保護層之前將第二基底結合到第一基底上。在一些實施例中，通過濕蝕刻去除焊盤保護層。

在一些實施例中，形成薄膜晶體管的步驟包括：在第一基底上順續形成有源層、柵極絕緣層和柵電極；在柵極絕緣層上形成層間絕緣層，以覆蓋柵電極；在層間絕緣層上形成源電極和漏電極。

在一些實施例中，柵電極和焊盤電極基本上同時由相同的材料形成。在一些實施例中，焊盤電極包含MoW、Al、Cr和Al/Cr中的至少一種。

一些實施例還包括：在薄膜晶體管和焊盤電極上形成平坦化層；通過將平坦化層圖案化形成通孔，從而暴露漏電極；通過將平坦化層和層間絕緣層圖案化形成焊盤接觸孔，從而暴露焊盤電極。

在一些實施例中，源電極、漏電極和焊盤電極基本上同時由相同材料形成。在一些實施例中，焊盤電極包含Ti、Ti合金、Ta和Ta合金中的至少一種。所述Ti合金包括TiN，所述Ta合金包括TaN。