[發(fā)明專利]制造顯示裝置的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810082619.6
• 申請(qǐng)日: 2008-02-27
• 公開（公告）號(hào): CN101261956A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹奎哲;金昌樹;咸允植
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星SDI株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/82
• 分類號(hào): H01L21/82;H01L21/60
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 郭鴻禧;劉奕晴

1、一種制造顯示裝置的方法，包括以下步驟：

在第一基底上的像素區(qū)中形成薄膜晶體管，并同時(shí)在第一基底上的焊盤區(qū)中形成焊盤電極；

形成連接到薄膜晶體管的第一像素電極，并同時(shí)形成覆蓋焊盤電極的焊盤保護(hù)層；

通過去除焊盤保護(hù)層來暴露焊盤電極。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一像素電極包含Ag。

3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，第一像素電極包括第一透明導(dǎo)電層、反射層和第二透明導(dǎo)電層，所述反射層包含Ag。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在第一像素電極上形成有機(jī)發(fā)射層和第二像素電極。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在去除焊盤保護(hù)層之前將第二基底結(jié)合到第一基底上。

6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，通過濕蝕刻去除焊盤保護(hù)層。

7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成薄膜晶體管的步驟包括：

在第一基底上順序形成有源層、柵極絕緣層和柵電極；

在柵極絕緣層上形成層間絕緣層，覆蓋柵電極；

在層間絕緣層上形成源電極和漏電極。

8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，柵電極和焊盤電極同時(shí)由相同的材料形成。

9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，焊盤電極包含MoW、Al、Cr和Al/Cr中的至少一種。

10、根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：

在薄膜晶體管和焊盤電極上形成平坦化層；

通過將平坦化層圖案化形成通孔，從而暴露漏電極；

通過將平坦化層和層間絕緣層圖案化形成焊盤接觸孔，從而暴露焊盤電極。

11、根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，源電極、漏電極和焊盤電極同時(shí)由相同的材料形成。

12、根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，焊盤電極包含Ti、Ti合金、Ta和Ta合金中的至少一種。

13、根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，Ti合金包括TiN，Ta合金包括TaN。

14、根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括：

在薄膜晶體管和焊盤電極上形成平坦化層；

通過將平坦化層圖案化形成暴露漏電極的通孔和暴露焊盤電極的焊盤接觸孔。

15、利用權(quán)利要求1所述的方法制造的一種顯示裝置。

16、根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置是有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。