[發(fā)明專利]柵極驅(qū)動器用的平移寄存器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810082530.X | 申請日: | 2008-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN101515431A | 公開(公告)日: | 2009-08-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳鴻鈞;江可玉;貢振邦;陳明道 | 申請(專利權(quán))人: | 財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 主分類號: | G09G3/20 | 分類號: | G09G3/20;G09G3/36;G11C19/28 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 蒲邁文;黃小臨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柵極 驅(qū)動 器用 平移 寄存器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種柵極驅(qū)動器,特別是涉及一種可以對晶體管閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償?shù)臇艠O驅(qū)動器。?
背景技術(shù)
近幾年的薄膜晶體管(thin?film?transistor,TFT)研發(fā)方向逐漸從單純的像素開關(guān),轉(zhuǎn)為電路上的應(yīng)用,這種趨勢可以從國際研討會上發(fā)表的情況即可了解到。TFT的均勻度與TFT特性已經(jīng)逐年在改善當(dāng)中,但是由于TFT的可靠度較差是屬于先天性不良的特質(zhì),因此急需靠一些后天的方法,諸如組件結(jié)構(gòu)設(shè)計、電路補(bǔ)償設(shè)計或是系統(tǒng)端的調(diào)整來補(bǔ)足。在柵極驅(qū)動器上,便是要減少個別TFT于柵極端存在長時間的偏壓,而達(dá)到輸出穩(wěn)定掃瞄電壓的目的。?
美國專利U.S.Patent?6,064,713提出一種使用非晶硅薄膜晶體管(a-SiTFT)實現(xiàn)柵極驅(qū)動器的作法。該專利利用下一級的輸出訊號來實現(xiàn)重置以及前一級輸出做為驅(qū)動訊號,并使用電容實現(xiàn)訊號增強(qiáng)的功用。此專利的優(yōu)點是各個TFT處于偏壓的時間短,減少閾值電壓在偏壓下產(chǎn)生升高情形;缺點是當(dāng)柵極驅(qū)動器中驅(qū)動TFT因為閾值電壓的累積而逐漸升高時,最終可能造成無法正常工作,使得柵極驅(qū)動器的使用壽命因此受限。?
因此,如何有效地解決驅(qū)動穩(wěn)定度并且使驅(qū)動器壽命增加,是業(yè)界急需努力的目標(biāo)。?
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述問題,本發(fā)明提出一種柵極驅(qū)動器用的平移寄存器,其利用電容存儲驅(qū)動晶體管的閾值電壓,實現(xiàn)補(bǔ)償驅(qū)動電壓衰減的功能,并解決噪聲與閾值電壓偏移的問題,能大幅提升驅(qū)動電路的穩(wěn)定度。?
本發(fā)明提出一種平移寄存器,其適用于將多數(shù)級平移寄存器串接以構(gòu)成一柵極驅(qū)動電路。各級平移寄存器的輸出端是耦接至下一級平移寄存器的輸入端,各級平移寄存器的重置端接收下一級平移寄存器的輸出訊號。
本發(fā)明的平移寄存器可以包括第一與第二節(jié)點、驅(qū)動晶體管、重置晶體管、充電放電電路、閾值電壓檢測電路以及存儲電容。驅(qū)動晶體管具有柵極、源極與漏極,其中柵極耦接至第一節(jié)點,漏極耦接至頻率訊號,源極做為平移寄存器的輸出端并且輸出輸出訊號給下一級平移寄存器的輸入端。重置晶體管具有柵極、源極與漏極,其中柵極接收該下一級平移寄存器的輸出訊號以做為重置訊號,源極耦接至第一低電位電壓,且漏極耦接至第一節(jié)點。充電放電電路接收輸入訊號與控制訊號,并且耦接第二節(jié)點。閾值電壓檢測電路,接收控制訊號,并且耦接至第一節(jié)點與驅(qū)動晶體管的源極。存儲電容具有第一端與第二端,分別耦接至第一與第二節(jié)點,用以存儲驅(qū)動晶體管的閾值電壓。?
根據(jù)本發(fā)明一實施例,上述充電放電電路可以還包括第一晶體管與第二晶體管。第一晶體管具有柵極、源極與漏極,其中柵極耦接至輸入訊號,漏極耦接至高電位電壓,源極耦接至第二節(jié)點。第二晶體管具有柵極、源極與漏極,其中柵極耦接至控制訊號,漏極耦接至第二節(jié)點,源極耦接至第二低電壓電位。此外,上述第一晶體管的柵極還可以與漏極耦接一起,并且以輸入訊號做為高電位電壓電平。?
本發(fā)明更提出另一種平移寄存器,可以包括驅(qū)動晶體管、重置晶體管、充電電路、閾值電壓檢測電路以及存儲電容。驅(qū)動晶體管具有柵極、源極與漏極,其中柵極耦接至第一節(jié)點,漏極耦接至頻率訊號,源極做為輸出端,并且輸出一輸出訊號。重置晶體管具有柵極、源極與漏極,其中柵極接收下一級平移寄存器的輸出訊號以做為重置訊號,源極耦接至低電位電壓,且漏極耦接至第二節(jié)點。充電電路接收輸入訊號,并且耦接至第二節(jié)點。閾值電壓檢測電路接收控制訊號,并且耦接至第一節(jié)點、第二節(jié)點與驅(qū)動晶體管的源極。存儲電容具有第一端與第二端,分別耦接至第一與第二節(jié)點,用以存儲驅(qū)動晶體管的閾值電壓。?
本發(fā)明還提出另一種平移寄存器,可以包括驅(qū)動晶體管、重置晶體管、充電放電電路、閾值電壓檢測電路以及存儲電容。驅(qū)動晶體管,具有柵極、源極與漏極,其中柵極耦接至第一節(jié)點,漏極耦接至頻率訊號,源極做為輸出端并且輸出輸出訊號。重置晶體管,具有柵極、源極與漏極,其中柵極接收下一級平移寄存器的輸出訊號以做為重置訊號,源極耦接至第一低電位電壓,且漏極耦接至第一節(jié)點。充電放電電路,接收輸入訊號、第一控制訊號與第二控制訊號,并且耦接至第二低電位電壓與第二節(jié)點。閾值電壓檢測電路,接收第一與第二控制訊號,并且耦接至第一節(jié)點與驅(qū)動晶體管的該源極。存儲電容具有第一端與第二端,分別耦接至第一與第二節(jié)點,用以存儲驅(qū)動晶體管的閾值電壓。?
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