[發明專利]柵極驅動器用的平移寄存器

有效

• 申請號: 200810082530.X
• 申請日: 2008-02-22
• 公開（公告）號: CN101515431A
• 公開（公告）日: 2009-08-26
• 發明（設計）人: 陳鴻鈞;江可玉;貢振邦;陳明道
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: G09G3/20
• 分類號: G09G3/20;G09G3/36;G11C19/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 蒲邁文;黃小臨

1.一種平移寄存器，適用于將多數級該平移寄存器串接以構成一柵極驅動電路，各該級平移寄存器的一輸出端耦接至下一級平移寄存器的一輸入端，各該級平移寄存器的一重置端接收下一級平移寄存器的一輸出訊號，該平移寄存器包括：

一第一與一第二節點；

一驅動晶體管，具有一柵極、一源極與一漏極，其中該柵極耦接至該第一節點，該漏極耦接至一頻率訊號，該源極做為該輸出端，并且輸出一輸出訊號；

一重置晶體管，具有一柵極、一源極與一漏極，其中該柵極接收該下一級平移寄存器的該輸出訊號以做為一重置訊號，該源極耦接至一第一低電位電壓，且該漏極耦接至該第一節點；

一充電放電電路，接收一輸入訊號與一控制訊號，并且耦接至該第二節點；

一閾值電壓檢測電路，接收該控制訊號，并且耦接至該第一節點與該驅動晶體管的該源極；以及

一存儲電容，具有一第一端與一第二端，分別耦接至該第一與該第二節點，用以存儲該驅動晶體管的一閾值電壓。

2.如權利要求1所述的平移寄存器，其中充電放電電路還包括：

一第一晶體管，具有一柵極、一源極與一漏極，其中該柵極耦接至該輸入訊號，該漏極耦接至該高電位電壓，該源極耦接至該第二節點；以及

一第二晶體管，具有一柵極、一源極與一漏極，其中該柵極耦接至該控制訊號，該漏極耦接至該第二節點，該源極耦接至一第二低電位電壓。

3.如權利要求2所述的平移寄存器，其中該第一晶體管的該柵極與該漏極耦接，并且接收該輸入訊號。

4.如權利要求2所述的平移寄存器，其中該第一與該第二低電位電壓不同。

5.如權利要求2所述的平移寄存器，其中該第一與該第二低電位電壓相同。

6.如權利要求1所述的平移寄存器，其中該存儲電容為一晶體管電容或是一金屬-絕緣層-金屬的電容。

7.一種平移寄存器，適用于將多數級該平移寄存器串接以構成一柵極驅動電路，各該級平移寄存器的一輸出端耦接至下一級平移寄存器的一輸入端，各該級平移寄存器的一重置端接收下一級平移寄存器的一輸出訊號，該平移寄存器包括：

一第一與一第二節點；

一驅動晶體管，具有一柵極、一源極與一漏極，其中該柵極耦接至該第一節點，該漏極耦接至一頻率訊號，該源極耦接至一輸出訊號；

一重置晶體管，具有一柵極、一源極與一漏極，其中該柵極接收該下一級平移寄存器的該輸出訊號，以做為一重置訊號，該源極耦接至一第一低電位電壓，且該漏極耦接至該第二節點；

一充電放電電路，接收一輸入訊號與一控制訊號，并且耦接至一高電位電壓與一第二低電位電壓與該第二節點；

一閾值電壓檢測電路，接收該控制訊號，并且耦接至該第一節點與該驅動晶體管的該源極；以及

一存儲電容，具有一第一端與一第二端，分別耦接至該第一與該第二節點，用以存儲該驅動晶體管的一閾值電壓。

8.如權利要求7所述的平移寄存器，其中充電放電電路還包括：

一第一晶體管，具有一柵極、一源極與一漏極，其中該柵極耦接至該輸入訊號，該漏極耦接至該高電位電壓，該源極耦接至該第二節點；以及

一第二晶體管，具有一柵極、一源極與一漏極，其中該柵極耦接至該控制訊號，該漏極耦接至該第二節點，該源極耦接至該第二低電位電壓。

9.如權利要求8所述的平移寄存器，其中該第一晶體管的該柵極與該漏極耦接，并且接收該輸入訊號。

10.如權利要求7所述的平移寄存器，其中該第一與該第二低電位電壓不同。

11.如權利要求7所述的平移寄存器，其中該第一與該第二低電位電壓相同。

12.如權利要求7所述的平移寄存器，其中該存儲電容為一晶體管電容或是一金屬-絕緣層-金屬的電容。