[發明專利]發光二極管器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200810082385.5
• 申請日: 2008-03-04
• 公開（公告）號: CN101527339A
• 公開（公告）日: 2009-09-09
• 發明（設計）人: 洪銘煌;蔡宗良
• 申請（專利權）人: 廣鎵光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 任默聞

技術領域

本發明是關于一種發光器件及其制造方法，特別是，本發明是關于一種發光二極管及其制造方法。

背景技術

參閱圖1，其示意性說明了已知發光二極管器件的結構組成；發光二極管器件1包含基材10、位于所述基材10上的緩沖層11、位于所述緩沖層11上方的第一局限層12、位于所述第一局限層12上方的發光層13、位于所述發光層13上方的第二局限層14、位于所述第二局限層14上方的接觸層15、位于所述接觸層15上方的透明導電層16，及一組電極單元17，其中電極單元17由位于所述第一局限層12上方的第一電極17a以及位于所述透明導電層16上方的第二電極17b所組成，第一電極17a與第二電極17b相配合以提供電能于發光二極管器件1。

在前述結構中，第一局限層12與第二局限層14具有彼此不同的導電性；舉例而言，第一局限層12與第二局限層14分別為經摻雜而呈n型(n-type)導電性與經摻雜而呈p型(p-type)的氮化鎵系列半導體材料。

電極單元17的第一電極17a及第二電極17b以例如金、鉻等金屬及/或其合金所構成，其中，第一電極17a設置在n型的第一局限層12上并與其形成歐姆接觸，第二電極17b則設置于透明導電層16頂面上并與接觸層15形成歐姆接觸，以對n型的第一局限層12及p型的第二局限層14提供電能。

當通過第一電極17a與第二電極17b對發光二極管器件1施加電能時，電流分散流通過n型的第一局限層12及p型的第二局限層14，而當電流自第二電極17b通入發光二極管器件1后，其將經由第二電極17b而均勻散布，由此，電子與空穴于發光層13中結合，同時釋放能量而轉換成光能，進而向外發光。所述發光層13為一多重量子井結構，包含多層能障層13a及多層量子井層13b呈交互堆疊結構。

為了提高發光二極管器件1的光取出效率，可對p型的第二局限層14與接觸層15予以圖形化，以于其中形成多個開孔，由此使第二電極17b可與p型的第二局限層14以及接觸層15充分接觸，進而提升發光二極管器件1的發光亮度。

然而，p型的第二局限層14經過圖形化后，其所需的操作電壓亦隨之升高；為此，本發明提出了一種新型發光二極管器件的結構及其制造方法，除解決了發光二極管器件操作電壓升高的問題以減少耗電之外，亦達到制程簡易、成本降低的目標。

發明內容

本發明的一目的，旨在提供一種發光二極管器件(1ight?emitting?diodes，LED)。

此外，本發明的另一目的，旨在提供一種發光二極管器件的制造方法。

根據本發明的一構想，所提供的發光二極管器件包括：基底；緩沖層，位于所述基底上方；第一導電性局限層，位于所述緩沖層上方；發光層，位于所述第一導電性局限層上方；第二導電性第一局限層，位于所述發光層上方；具導電性第一接觸層，位于所述第二導電性第一局限層上方；經圖案化第二導電性第二局限層，位于所述具導電性第一接觸層上方；經圖案化具導電性第二接觸層，位于所述第二導電性第二局限層上方；透明導電層，位于所述第二接觸層上方，所述透明導電層具有多個接觸穿經所述第二接觸層及所述第二導電性第二局限層而電性接觸所述第一接觸層；第一導電性電極，位于所述第一導電性局限層上方；及第二導電性電極，位于所述透明導電層上方。

根據本發明的另一構想，所提供的發光二極管器件包括：基底；緩沖層，位于所述基底上方；第一導電性局限層，位于所述緩沖層上方；發光層，位于所述第一導電性局限層上方；第二導電性第一局限層，位于所述發光層上方；具導電性第一接觸層，位于所述第二導電性第一局限層上方；經圖案化第二導電性第二局限層，位于所述具導電性第一接觸層上方；經圖案化具導電性第二接觸層，位于所述第二導電性第二局限層上方；透明導電層，位于所述第二接觸層上方，所述透明導電層具有多個第一接觸穿經所述第二接觸層及所述第二導電性第二局限層而電性接觸所述第一接觸層；第一導電性電極，位于所述第一導電性局限層上方；及第二導電性電極，位于所述透明導電層上方，所述第二導電性電極具有多個第二接觸穿經所述透明導電層、所述第二接觸層及所述第二導電性第二局限層而電性接觸所述第一接觸層。

根據上述構想，其中所述第一接觸層及所述第二接觸層的厚度小于50納米。

根據上述構想，其中所述第一接觸層及所述第二接觸層的厚度小于10納米。

根據上述構想，其中所述第一接觸層及所述第二接觸層的厚度約3納米。

根據上述構想，其中所述發光二極管器件為氮化鎵系發光二極管器件。