[發明專利]發光二極管器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200810082385.5
• 申請日: 2008-03-04
• 公開（公告）號: CN101527339A
• 公開（公告）日: 2009-09-09
• 發明（設計）人: 洪銘煌;蔡宗良
• 申請（專利權）人: 廣鎵光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 任默聞

1.一種發光二極管器件，其特征在于，所述發光二極管器件包括：

基底；

緩沖層，位于所述基底上方；

第一導電性局限層，位于所述緩沖層上方；

發光層，位于所述第一導電性局限層上方；

第二導電性第一局限層，位于所述發光層上方；

具導電性第一接觸層，位于所述第二導電性第一局限層上方；

經圖案化第二導電性第二局限層，位于所述具導電性第一接觸層上方；

經圖案化具導電性第二接觸層，位于所述第二導電性第二局限層上方；

透明導電層，位于所述第二接觸層上方，所述透明導電層具有多個接觸穿經所述第二接觸層及所述第二導電性第二局限層而電性接觸所述第一接觸層；

第一導電性電極，位于所述第一導電性局限層上方；及

第二導電性電極，位于所述透明導電層上方。

2.如權利要求1所述的發光二極管器件，其特征在于，所述第一接觸層及所述第二接觸層的厚度小于50納米。

3.如權利要求1所述的發光二極管器件，其特征在于，所述第一接觸層及所述第二接觸層的厚度小于10納米。

4.如權利要求1所述的發光二極管器件，其特征在于，所述第一接觸層及所述第二接觸層的厚度為3納米。

5.如權利要求1所述的發光二極管器件，其特征在于，所述發光二極管器件為氮化鎵系發光二極管器件。

6.如權利要求5所述的發光二極管器件，其特征在于，所述第一接觸層及所述第二接觸層選自下列任一材質：重濃度摻雜的P⁺⁺型或N⁺⁺型的ⅢA族氮化物材料、重濃度摻雜的P⁺⁺型或N⁺⁺型的IIA-VA族材料，其中包含以下任一種第IIA族元素：鈹，鎂，鈣，及以下任一種第VA族元素：氮，砷，磷，銻、及重濃度摻雜的P⁺⁺型或N⁺⁺型第IIA-VIA族材料，其中包含以下任一種第VIA族元素：氧，硫，硒，碲，釙。

7.如權利要求6所述的發光二極管器件，其特征在于，所述第一接觸層及所述第二接觸層的厚度小于50納米。

8.如權利要求6所述的發光二極管器件，其特征在于，所述第一接觸層及所述第二接觸層的厚度小于10納米。

9.如權利要求6所述的發光二極管器件，其特征在于，所述第一接觸層及所述第二接觸層的厚度為3納米。

10.如權利要求1所述的發光二極管器件，其特征在于，所述發光層具有多重量子井結構。

11.如權利要求1所述的發光二極管器件，其特征在于，所述第一接觸層及所述第二接觸層的導電性可為第一導電性或第二導電性。

12.一種發光二極管器件，其特征在于，所述發光二極管器件包括：

基底；

緩沖層，位于所述基底上方；

第一導電性局限層，位于所述緩沖層上方；

發光層，位于所述第一導電性局限層上方；

第二導電性第一局限層，位于所述發光層上方；

具導電性第一接觸層，位于所述第二導電性第一局限層上方；

經圖案化第二導電性第二局限層，位于所述具導電性第一接觸層上方；

經圖案化具導電性第二接觸層，位于所述第二導電性第二局限層上方；

透明導電層，位于所述第二接觸層上方，所述透明導電層具有多個第一接觸穿經所述第二接觸層及所述第二導電性第二局限層而電性接觸所述第一接觸層；

第一導電性電極，位于所述第一導電性局限層上方；及

第二導電性電極，位于所述透明導電層上方，所述第二導電性電極具有多個第二接觸穿經所述透明導電層、所述第二接觸層及所述第二導電性第二局限層而電性接觸所述第一接觸層。

13.如權利要求12所述的發光二極管器件，其特征在于，所述第一接觸層及所述第二接觸層的厚度小于50納米。

14.如權利要求12所述的發光二極管器件，其特征在于，所述第一接觸層及所述第二接觸層的厚度小于10納米。

15.如權利要求12所述的發光二極管器件，其特征在于，所述第一接觸層及所述第二接觸層的厚度為3納米。