[發明專利]電光裝置、半導體器件、顯示裝置及具備其的電子設備有效
| 申請號: | 200810082237.3 | 申請日: | 2008-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN101256296A | 公開(公告)日: | 2008-09-03 |
| 發明(設計)人: | 小橋裕 | 申請(專利權)人: | 愛普生映像元器件有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/133 | 分類號: | G02F1/133;G09G3/20;G09F9/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 | 代理人: | 陳海紅;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電光 裝置 半導體器件 顯示裝置 具備 電子設備 | ||
1.一種電光裝置,其具備:在第1及第2基板間夾持有電光物質的形成有顯示區域的面板,和設置于前述第1或第2基板上、對前述面板的周圍光的照度進行檢測的光檢測部;其特征在于:
前述光檢測部,隔預定的時間間隔,進行多次檢測工作;
前述預定的時間間隔設定為除了1/100秒或1/120秒的整數倍或接近于它們的值以外的值。
2.一種半導體器件,其特征在于,具備:
形成于基板上、用于對前述基板周邊的外光照度進行測定的光傳感器,和
連接于前述光傳感器而對應于前述外光照度進行輸出的檢測電路;
前述檢測電路,基于來自前述光傳感器的輸入,多次進行前述外光照度檢測工作;
當設前述多次檢測工作的第1檢測工作、與繼前述第1檢測工作所進行的第2檢測工作的時間間隔為T1時,則
前述時間間隔T1設定為除了1/100秒或1/120秒的整數倍及接近于它們的值以外的值。
3.按照權利要求2所述的半導體器件,其特征在于:
當設n為任意的整數時,前述時間間隔T1設定為1/100秒的(n+0.5)倍、或1/120秒的(n+0.5)倍、或二者的中間值。
4.按照權利要求3所述的半導體器件,其特征在于:
具有對前述檢測電路的輸出多次采樣而進行統計處理的電路,其中該電路為中央運算電路。
5.按照權利要求2~4中的任何一項所述的半導體器件,其特征在于:
當設前述第2檢測工作、與繼前述第2檢測工作所進行的第3檢測工作的時間間隔為T2時,則前述時間間隔T1與前述時間間隔T2互不相同。
6.按照權利要求2~5中的任何一項所述的半導體器件,其特征在于:
前述光傳感器為將前述外光照度變換成電流的元件;前述檢測電路是下述電路:在每次前述檢測周期的開始,將連接有前述光傳感器的節點的一端復位成初始電位,通過對前述節點的電位變化進行檢測而進行前述檢測工作。
7.按照權利要求2~6中的任何一項所述的半導體器件,其特征在于:
前述光傳感器為采用了薄膜多晶硅的PIN結二極管或PN結二極管。
8.一種顯示裝置,其特征在于:
采用了權利要求2~7中的任何一項所述的半導體器件。
9.按照權利要求8所述的顯示裝置,其特征在于:
前述時間間隔T1為作為進行顯示的重寫的周期的幀周期的整數倍。
10.一種電子設備,其特征在于:
采用了權利要求8或9所述的顯示裝置。
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