[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810081784.X
• 申請(qǐng)日: 2008-03-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101533826A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張睿鈞;陳瑛政
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 世界先進(jìn)積體電路股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/522
• 分類號(hào): H01L23/522;H01L23/482;H01L21/768;H01L21/60
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 任默聞

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述的半導(dǎo)體裝置包括：

一基底；

一埋層，形成于所述的基底內(nèi)，其中所述的埋層包含一絕緣區(qū)；

一深溝渠接觸結(jié)構(gòu)，形成于所述的基底內(nèi)，其中所述的深溝渠接觸結(jié)構(gòu)包含一導(dǎo)電材料及一襯墊層，其中所述的襯墊層形成于所述的導(dǎo)電材料的側(cè)壁上，且所述的導(dǎo)電材料與所述的基底電性連接；以及

一摻雜區(qū)，形成于所述深溝渠接觸結(jié)構(gòu)及所述基底之間，其中所述深溝渠接觸結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電材料延伸至所述摻雜區(qū)，所述襯墊層延伸至所述埋層的絕緣區(qū)，所述襯墊層與所述埋層的絕緣區(qū)相連并覆蓋所述導(dǎo)電材料的側(cè)壁，以形成用于隔絕組件的隔離結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述的導(dǎo)電材料包含摻雜的多晶硅。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述的埋層更包含一導(dǎo)體區(qū)。

4.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括下列步驟：

提供一基底，其具有一埋層位于其中，其中所述的埋層包含一絕緣區(qū)；

于所述的基底內(nèi)形成一深溝渠接觸結(jié)構(gòu)，其中所述的深溝渠接觸結(jié)構(gòu)包含一導(dǎo)電材料及一襯墊層，其中所述的襯墊層形成于所述的導(dǎo)電材料的側(cè)壁上，且所述的導(dǎo)電材料與所述的基底電性連接；以及

形成一摻雜區(qū)于所述深溝渠接觸結(jié)構(gòu)及所述基底之間，其中所述深溝渠接觸結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電材料延伸至所述摻雜區(qū)，所述襯墊層延伸至所述埋層的絕緣區(qū)，所述襯墊層與所述埋層的絕緣區(qū)相連并覆蓋所述導(dǎo)電材料的側(cè)壁，以形成用于隔絕組件的隔離結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法更包括于所述的深溝渠接觸結(jié)構(gòu)及所述的基底之間形成?所述的摻雜區(qū)。

6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述的埋層更包含一導(dǎo)體區(qū)。

7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述的深溝渠接觸結(jié)構(gòu)的制造方法包括下列步驟：

于所述的基底內(nèi)形成一第一深溝渠以暴露所述的埋層；

于所述的第一深溝渠的側(cè)壁上形成所述的襯墊層；

于所述的埋層內(nèi)形成一第二深溝渠，其中所述的第二深溝渠位于所述的第一深溝渠的下方，且所述的第二深溝渠與所述的第一深溝渠連通；以及

形成所述的導(dǎo)電材料，以填充所述的第一深溝渠及所述的第二深溝渠。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述的第一深溝渠暴露所述的絕緣區(qū)。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述的埋層更包含一導(dǎo)體區(qū)。?