[發明專利]電阻式存儲器及其制造方法

無效

• 申請號: 200810081250.7
• 申請日: 2008-02-20
• 公開（公告）號: CN101452943A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發明（設計）人: 何家驊;賴二琨
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00;H01L27/10;H01L27/115;H01L21/82;G11C13/00;G11C11/56;G11C16/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1.一種電阻式存儲器，包括：

基板；

第一信號線，設置于該基板上，該第一信號線具有第一表面；

存儲單元，具有第二表面，該存儲單元通過該第二表面接觸該第一表面與該第一信號線耦接；以及

第二信號線，設置于該存儲單元上并耦接該存儲單元，其中該第二表面的面積實質上大于或等于該第一信號線與該第二信號線重疊區域的面積。

2.如權利要求1所述的電阻式存儲器，其中該第一信號線包括：

阻隔層；

金屬層，設置于該阻隔層上。

3.如權利要求2所述的電阻式存儲器，其中該阻隔層的材料為氮化鈦，該金屬層的材料為鎢。

4.如權利要求1所述的電阻式存儲器，其中該存儲單元的材料為氧化鎢。

5.一種電阻式存儲器的制造方法，包括：

(a)形成第一導電材料層于基板上；

(b)蝕刻該第一導電材料層成為一具有第一表面的第一信號線；

(c)形成一具有第二表面的存儲材料層，該存儲材料層并通過該第一表面接觸該第二表面與該第一信號線耦接；

(d)形成第二導電材料層與該存儲材料層耦接；以及

(e)蝕刻該第二導電材料層，以形成第二信號線，其中該第二表面的面積實質上大于或等于該第一信號線與該第二信號線重疊區域的面積。

6.如權利要求5所述的制造方法，其中該步驟(a)還包括形成一具有第一線型圖案的第一圖案化掩模于該第一導電材料層上，該步驟(e)還包括形成一具有第二線型圖案的第二圖案化掩模于該第二導電材料層上，且該第一線型圖案與該第二線型圖案實質上相互垂直。

7.如權利要求5所述的制造方法，其中步驟(a)包括：

沉積可導電的第一阻隔材料層于該基板上；以及

沉積第一金屬材料層于該第一阻隔材料層上，以形成該第一導電材料層。

8.如權利要求7所述的制造方法，其中該第一阻隔材料層為氮化鈦。

9.如權利要求5所述的制造方法，其中步驟(b)包括：

形成硬掩模材料層于該第一導電材料層上；

形成光致抗蝕劑材料層于該硬掩模材料層上；

圖案化該光致抗蝕劑材料層成為第一圖案化光致抗蝕劑層；

蝕刻該硬掩模材料層成為該第一圖案化掩模；以及

去除該第一圖案化光致抗蝕劑層。

10.如權利要求9所述的制造方法，其中去除該第一圖案化光致抗蝕劑層的該步驟后還包括：

削減該第一圖案化掩模。

11.如權利要求9所述的制造方法，其中該硬掩模材料層為氮化物或氧化物。

12.如權利要求5所述的制造方法，其中該步驟(b)包括：

形成光致抗蝕劑材料層于該第一導電材料層上；以及

圖案化該光致抗蝕劑材料層成為該第一圖案化掩模。

13.如權利要求12所述的制造方法，其中圖案化該光致抗蝕劑材料層的該步驟后還包括：

削減該第一圖案化掩模。

14.如權利要求5所述的制造方法，其中該步驟(i)包括：

形成硬掩模材料層于該第二導電材料層上；

形成光致抗蝕劑材料層于該硬掩模材料層上；

圖案化該光致抗蝕劑材料層成為第二圖案化光致抗蝕劑層；

蝕刻該硬掩模材料層成為該第二圖案化掩模；以及

去除該第二圖案化光致抗蝕劑層。

15.如權利要求14所述的制造方法，其中去除該第二圖案化光致抗蝕劑層的該步驟后還包括：

削減該第二圖案化掩模。

16.如權利要求5所述的制造方法，其中步驟(i)包括：

形成光致抗蝕劑材料層于該第二導電材料層上；以及

圖案化該光致抗蝕劑材料層成為該第二圖案化掩模。

17.如權利要求16所述的制造方法，其中圖案化該光致抗蝕劑材料層的該步驟后還包括：

削減該第二圖案化掩模。