[發明專利]焊球容置結構無效
| 申請號: | 200810080844.6 | 申請日: | 2008-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN101515556A | 公開(公告)日: | 2009-08-26 |
| 發明(設計)人: | 王維賓;林恩立;李德浩;鄭坤一;黃熴銘 | 申請(專利權)人: | 矽品精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;B23K3/06;B23K101/40;H05K3/34 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人: | 戈 泊 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 焊球容置 結構 | ||
1、一種焊球容置結構,應用于植球設備,其特征在于,該結構包括:
中空本體,具有一開口;
第一板體,蓋設于該開口上,具有多個連通該開口的氣流穿孔,該氣流穿孔的孔徑小于焊球的直徑;
第二板體,連接該第一板體,具有對應該氣流穿孔的放置穿孔,該放置穿孔的孔徑大于焊球的直徑;以及
第三板體,連接該第二板體,具有對應該放置穿孔的導引穿孔,該導引穿孔的孔徑大于焊球的直徑。
2、根據權利要求1所述的焊球容置結構,其特征在于:該第一板體、第二板體、第三板體及中空本體間是以螺接方式接合。
3、根據權利要求1所述的焊球容置結構,其特征在于:該氣流穿孔、放置穿孔及導引穿孔是以蝕刻及鉆孔方式的其中一者形成。
4、根據權利要求1所述的焊球容置結構,其特征在于:該導引穿孔呈導角型式。
5、根據權利要求4所述的焊球容置結構,其特征在于:該導引穿孔具有第一孔徑及以該第一孔徑漸縮形成的第二孔徑,該第二孔徑等于該放置穿孔的孔徑。
6、根據權利要求1所述的焊球容置結構,其特征在于:該中空本體復具有一氣孔,用以連接一氣壓裝置。
7、根據權利要求1所述的焊球容置結構,其特征在于:該焊球容置結構為植球設備的焊球擷具。
8、根據權利要求1所述的焊球容置結構,其特征在于:該焊球容置結構為植球設備的焊球置具。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





