[發(fā)明專利]動(dòng)態(tài)電壓產(chǎn)生裝置與其使用方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810080776.3
• 申請(qǐng)日: 2008-02-18
• 公開（公告）號(hào): CN101515798A
• 公開（公告）日: 2009-08-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林見儒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/687
• 分類號(hào): H03K17/687;H03K17/082;G05F1/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 周少杰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是一種動(dòng)態(tài)電壓產(chǎn)生裝置與方法，特別是一種依據(jù)制程、電壓、溫度(PVT)的動(dòng)態(tài)電壓產(chǎn)生裝置與方法。

背景技術(shù)

開關(guān)電路的設(shè)計(jì)中，當(dāng)開關(guān)需求的速度越快、線性度(linearity)越高時(shí)，開關(guān)的電阻值也就需要越低。如此，才能讓開關(guān)在導(dǎo)通與斷路間順利的切換，也使得開關(guān)于導(dǎo)通(turn?on)時(shí)即可視為短路，而不會(huì)因其過大的開關(guān)電阻值，而阻礙電壓、電流或信號(hào)的流通。在電子電路的設(shè)計(jì)上，常以MOS來實(shí)現(xiàn)開關(guān)。因此，必須把MOS開關(guān)的柵極電壓(gate?voltage)適度的超壓，才能獲得夠低的電阻值。

請(qǐng)參照「圖1A?」已知技術(shù)在保留模式(hold?mode)下的升壓電路示意圖。傳統(tǒng)的方法在保留模式下，首先，利用固定電壓產(chǎn)生器A10將升壓電容A20充電到所欲提升的電壓V_fix。此時(shí)，取樣開關(guān)A30是斷路(turn?off)的狀態(tài)，而信號(hào)被保留在取樣電容A40上。

請(qǐng)參照「圖1B?」已知技術(shù)在取樣模式(sample?mode)下的升壓電路示意圖。接下來轉(zhuǎn)換到取樣模式下，此時(shí)，利用升壓電容A20上所儲(chǔ)存的電壓V_fix直接導(dǎo)通(turn?on)取樣開關(guān)A30。而取樣開關(guān)A30的電阻值(R_s)由一般電子學(xué)書籍可得如下式所示：

Rs=1μnCoxWL(VGS-VTH)=1μnCoxWL(Vfix-VTH)---(1)]]>

其中，R_s為取樣開關(guān)A30的電阻值、μ_n為電子移動(dòng)率(electronmobility)、C_ox為氧化層電容(oxide?capacitance)、W/L為取樣開關(guān)A30的寬長比、V_GS為取樣開關(guān)A30的柵極-源極電壓、V_fix為固定電壓產(chǎn)生器A10所提供的電壓，及V_TH為門限電壓(threshold?voltage)。