[發明專利]動態電壓產生裝置與其使用方法無效
| 申請號: | 200810080776.3 | 申請日: | 2008-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN101515798A | 公開(公告)日: | 2009-08-26 |
| 發明(設計)人: | 林見儒 | 申請(專利權)人: | 瑞昱半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/687 | 分類號: | H03K17/687;H03K17/082;G05F1/10 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 周少杰 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 動態 電壓 產生 裝置 與其 使用方法 | ||
1.一種動態電壓產生裝置,用以輸出一動態電壓以導通一取樣開關,該裝置包含:
一參考開關,系根據該取樣開關而得;及
一反饋電路,根據該參考開關產生該動態電壓;
其中,該取樣開關的一取樣電阻值系根據該動態電壓而改變。
2.如權利要求1所述的動態電壓產生裝置,其中該參考開關與該取樣開關互相匹配。
3.如權利要求1所述的動態電壓產生裝置,其中該取樣電阻值與制程、電壓、溫度獨立。
4.如權利要求1所述的動態電壓產生裝置,其中該參考開關的一參考電阻值實質上等于該取樣電阻值。
5.如權利要求1所述的動態電壓產生裝置,其中該參考開關根據一固定電壓與一參考電流產生該參考電阻值。
6.如權利要求5所述的動態電壓產生裝置,其中該固定電壓與該參考電流的比值為一目標電阻值。
7.如權利要求6所述的動態電壓產生裝置,其中該參考電流反比于一外部電阻值,使得該目標電阻值正比于該外部電阻值。
8.如權利要求6所述的動態電壓產生裝置,其中該參考電流正比于一取樣電容值,使得該目標電阻值反比于該取樣電容值。
9.如權利要求5所述的動態電壓產生裝置,其中該參考開關為一MOS開關,其漏極接收該參考電流與該固定電壓。
10.如權利要求9所述的動態電壓產生裝置,其中該反饋電路包含一OP放大器,其負輸入端耦接于該固定電壓,其正輸入端耦接于該MOS開關的漏極,其輸出端耦接于該MOS開關的柵極,并于其輸出端輸出該動態電壓。
11.一種導通取樣開關的方法,包含下列步驟:
根據該取樣開關提供一動態電壓;及
利用該動態電壓調整該取樣開關的一取樣電阻值,使該取樣電阻值與制程、電壓、溫度獨立。
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