[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810080665.2
• 申請日: 2008-02-28
• 公開（公告）號: CN101257021A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 伊藤弘造;川本和弘
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社理光
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;G05F1/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 王冉;楊梧

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體裝置，尤其涉及內(nèi)藏所謂串聯(lián)穩(wěn)壓器(series?regulator)或開關(guān)穩(wěn)壓器(switching?regulator)的定電壓電路、使用金屬-絕緣體-金屬(metal-insulator-matal，以下簡記為“MIM”)型電容器作為補償用電容器的半導(dǎo)體裝置的配置。

背景技術(shù)

以往，在開關(guān)穩(wěn)壓器或串聯(lián)穩(wěn)壓器中，為了穩(wěn)定動作，在電路內(nèi)使用補償用電容器。具有電阻和補償用電容器串聯(lián)連接的RC電路場合，為了抑制芯片面積增加，有以下技術(shù)：在構(gòu)成電容部的MIM電容器的上基體金屬膜或下基體金屬膜的至少一方，使用具有所定片材電阻值的薄膜電阻用金屬材料形成電阻部(例如參照專利文獻1)。

[專利文獻1]日本特開平1-223757號公報

但是，在這種結(jié)構(gòu)中，存在只能形成電阻和電容器的串聯(lián)電路的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明就是為解決上述先有技術(shù)所存在的問題而提出來的，本發(fā)明的目的在于，提供能不限制電阻和電容器連接、芯片面積小的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體裝置。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出以下方案：

(1)一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體基板；

電阻層，形成在所述半導(dǎo)體基板上，所述電阻層具有配置在其中的電阻；

電容層，形成在所述電阻層上，所述電容層具有電容器，與電阻電氣連接。

(2)在上述(1)所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)中，其特征在于：

所述電阻包括多個可互相連接的單位電阻，形成多單位電阻；

所述電容層包括：

第一金屬層，與所述電阻層鄰接，該第一金屬層形成上述電容器的一電極，同時，對所述多個單位電阻提供電連接；

電介質(zhì)層，形成在所述第一金屬層上；以及

第二金屬層，形成在所述電介質(zhì)層上，該第二金屬層形成上述電容器的另一電極，通過所述電介質(zhì)層與第一金屬層絕緣。

(3)在上述(1)所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)中，其特征在于：

進一步包括插入所述電阻層和電容層之間的中間金屬層；

所述電阻包括多個可互相連接的單位電阻，形成多單位電阻；

所述中間金屬層對所述多個單位電阻提供電連接；以及

所述電容層包括：

第一金屬層，與所述中間金屬層鄰接，該第一金屬層形成上述電容器的一電極；

電介質(zhì)層，形成在所述第一金屬層上；以及

第二金屬層，形成在所述電介質(zhì)層上，該第二金屬層形成上述電容器的另一電極，通過所述電介質(zhì)層與第一金屬層絕緣。

(4)在上述(3)所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)中，其特征在于：

進一步包括至少一個金屬配線層，配置在所述中間金屬層和第一金屬層之間。

(5)在上述(1)所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)中，其特征在于：

所述電容器是金屬-絕緣體-金屬型電容器。

(6)一種半導(dǎo)體裝置，從輸入電壓產(chǎn)生一定的輸出電壓，該半導(dǎo)體裝置包括：

半導(dǎo)體基板；

電阻層，形成在所述半導(dǎo)體基板上，所述電阻層具有配置在其中的電阻；

電容層，形成在所述電阻層上，所述電容層具有電容器，與電阻電氣連接。

(7)在上述(6)所述的半導(dǎo)體裝置中，其特征在于：

所述電阻包括多個可互相連接的單位電阻，形成多單位電阻；

所述電容層包括：

第一金屬層，與所述電阻層鄰接，該第一金屬層形成上述電容器的一電極，同時，對所述多個單位電阻提供電連接；

電介質(zhì)層，形成在所述第一金屬層上；以及

第二金屬層，形成在所述電介質(zhì)層上，該第二金屬層形成上述電容器的另一電極，通過所述電介質(zhì)層與第一金屬層絕緣。

(8)在上述(7)所述的半導(dǎo)體裝置中，其特征在于：

進一步包括：

電壓分壓器，通過對輸出電壓進行分壓，產(chǎn)生反饋信號；

控制電路，根據(jù)該反饋信號，輸出控制信號；

輸出晶體管，根據(jù)所述控制信號，控制電流通過，使得所述反饋信號成為所定的基準(zhǔn)信號；

所述多單位電阻通過所述第一金屬層被結(jié)合，形成與所述電容器連接的所述電壓分壓器。

(9)在上述(7)所述的半導(dǎo)體裝置中，其特征在于：

進一步包括：

電壓分壓器，通過對輸出電壓進行分壓，產(chǎn)生反饋信號；

控制電路，根據(jù)該反饋信號，輸出控制信號；

電感器，將輸入電壓變換成輸出電壓；