[發明專利]半導體裝置結構及半導體裝置

無效

• 申請號: 200810080665.2
• 申請日: 2008-02-28
• 公開（公告）號: CN101257021A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 伊藤弘造;川本和弘
• 申請（專利權）人: 株式會社理光
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;G05F1/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 王冉;楊梧

1.一種半導體裝置結構，包括：

半導體基板；

電阻層，形成在所述半導體基板上，所述電阻層具有配置在其中的電阻；

電容層，形成在所述電阻層上，所述電容層具有電容器，與電阻電氣連接。

2.根據權利要求1中所述的半導體裝置結構，其特征在于：

所述電阻包括多個可互相連接的單位電阻，形成多單位電阻；

所述電容層包括：

第一金屬層，與所述電阻層鄰接，該第一金屬層形成上述電容器的一電極，同時，對所述多個單位電阻提供電連接；

電介質層，形成在所述第一金屬層上；以及

第二金屬層，形成在所述電介質層上，該第二金屬層形成上述電容器的另一電極，通過所述電介質層與第一金屬層絕緣。

3.根據權利要求1中所述的半導體裝置結構，其特征在于：

進一步包括插入所述電阻層和電容層之間的中間金屬層；

所述電阻包括多個可互相連接的單位電阻，形成多單位電阻；

所述中間金屬層對所述多個單位電阻提供電連接；以及

所述電容層包括：

第一金屬層，與所述中間金屬層鄰接，該第一金屬層形成上述電容器的一電極；

電介質層，形成在所述第一金屬層上；以及

第二金屬層，形成在所述電介質層上，該第二金屬層形成上述電容器的另一電極，通過所述電介質層與第一金屬層絕緣。

4.根據權利要求3中所述的半導體裝置結構，其特征在于：

進一步包括至少一個金屬配線層，配置在所述中間金屬層和第一金屬層之間。

5.根據權利要求1中所述的半導體裝置結構，其特征在于：

所述電容器是金屬-絕緣體-金屬型電容器。

6.一種半導體裝置，從輸入電壓產生一定的輸出電壓，該半導體裝置包括：

半導體基板；

電阻層，形成在所述半導體基板上，所述電阻層具有配置在其中的電阻；

電容層，形成在所述電阻層上，所述電容層具有電容器，與電阻電氣連接。

7.根據權利要求6中所述的半導體裝置，其特征在于：

所述電阻包括多個可互相連接的單位電阻，形成多單位電阻；

所述電容層包括：

第一金屬層，與所述電阻層鄰接，該第一金屬層形成上述電容器的一電極，同時，對所述多個單位電阻提供電連接；

電介質層，形成在所述第一金屬層上；以及

第二金屬層，形成在所述電介質層上，該第二金屬層形成上述電容器的另一電極，通過所述電介質層與第一金屬層絕緣。

8.根據權利要求7中所述的半導體裝置，其特征在于：

進一步包括：

電壓分壓器，通過對輸出電壓進行分壓，產生反饋信號；

控制電路，根據該反饋信號，輸出控制信號；

輸出晶體管，根據所述控制信號，控制電流通過，使得所述反饋信號成為所定的基準信號；

所述多單位電阻通過所述第一金屬層被結合，形成與所述電容器連接的所述電壓分壓器。

9.根據權利要求7中所述的半導體裝置，其特征在于：

進一步包括：

電壓分壓器，通過對輸出電壓進行分壓，產生反饋信號；

控制電路，根據該反饋信號，輸出控制信號；

電感器，將輸入電壓變換成輸出電壓；

開關晶體管，根據所述控制信號，對所述電感器進行充電，使得所述反饋信號成為所定的基準信號；

整流元件，進行電感器放電；

所述多單位電阻通過所述第一金屬層被結合，形成與所述電容器連接的所述電壓分壓器。

10.根據權利要求6中所述的半導體裝置，其特征在于：

進一步包括插入所述電阻層和電容層之間的中間金屬層；

所述電阻包括多個可互相連接的單位電阻，形成多單位電阻；

所述中間金屬層對所述多個單位電阻提供電連接；

所述電容層包括：

第一金屬層，與所述中間金屬層鄰接，該第一金屬層形成上述電容器的一電極；

電介質層，形成在所述第一金屬層上；以及

第二金屬層，形成在所述電介質層上，該第二金屬層形成上述電容器的另一電極，通過所述電介質層與第一金屬層絕緣。