[發明專利]保護層材料、其制法、保護層以及等離子體顯示面板

無效

• 申請號: 200810080658.2
• 申請日: 2008-02-28
• 公開（公告）號: CN101256922A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 李玟錫;馬圖利維克·尤利;金石基;崔鐘書;金榮洙;秋希伶;金德炫;徐淳星
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01J9/00
• 分類號: H01J9/00;H01J17/02;H01J17/49
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 宋莉

相關專利申請的交叉引用

本申請要求2007年2月28日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.2007-20545的優先權，在此結合其公開內容作為參考。

技術領域

本發明的各方面涉及用于制備具有降低的放電延遲時間、改進的溫度依賴性以及增強的離子強度的等離子體顯示面板的保護層的材料，制備該材料的方法，由該材料形成的保護層和包括該保護層的等離子體顯示面板。

背景技術

等離子體顯示面板(PDP)可容易地用于形成大屏幕，以及由于自發光和快速響應而具有良好的顯示質量。此外，PDP可以薄膜的形式形成，并因此如同LCD一樣，適于壁裝式顯示器。

圖1圖解了構成PDP的許多PDP像素中的一個PDP像素。參見圖1，維持電極對各包括與金屬匯流電極15b配對的透明電極15a，且在前基板14和后基板10之間的前基板14的表面上形成。將介電層16設置在前基板14和后基板10之間的前基板14的表面上，以覆蓋維持電極對。通過保護層17覆蓋該介電層16，以保持放電性能和延長介電層16的壽命。

在前基板14和后基板10之間的后基板10的表面上形成被介電層12覆蓋的尋址電極11。前基板14與后基板10分離，其中的空間由產生紫外線的放電氣體諸如Ne等填充。

保護層17提供以下優點。

第一，保護層17保護透明和匯流電極15a和15b和介電層16。即使僅透明和匯流電極15a和15b形成在所述前基板上，或者形成介電層16以覆蓋透明和匯流電極15a和15b，也仍可發生放電。然而，當僅透明和匯流電極15a和15b形成在所述前基板10上時，放電電流難以控制。而且，當僅形成介電層16以覆蓋透明和匯流電極15a和15b形成，而沒有保護層17時，介電層16可被來自賦能離子(energized?ion)的轟擊的濺射蝕刻破壞。因此，介電層16由對等離子體離子具有強耐受性的保護層17覆蓋。

第二，保護層17降低放電起始電壓。次級電子發射系數是用于形成保護層的材料的物理值且與放電起始電壓直接相關。隨著從保護層發射更多次級電子，放電起始電壓降低。因此，期望用于形成保護層的材料具有高的次級電子發射系數。

最后，保護層17減少放電延遲時間。所述放電延遲時間度量施加電壓時和發生放電時之間的延遲，且為形成延遲時間(formation?delay?time，Tf)和統計延遲時間(statistical?delay?time，Ts)的總和。所述Tf是施加電壓和放電電流之間的時間間隔，以及所述Ts是該形成延遲時間的統計離差。當所述放電延遲時間減少時，可獲得高速尋址，因此可使用單掃描(single?scan)。而且，可降低掃描驅動要求，以及可形成更多子場。因此，所述PDP可具有高的亮度和圖像質量。

目前，使用兩種類型的氧化鎂作為PDP保護層的原材料：單晶和多晶。當使用真空淀積法如等離子蒸發或電子束蒸發將所述兩種原材料轉變為在介電層上形成的薄膜時，保護層由多晶氧化鎂形成，而不管原材料的狀態。然而，在所述多晶保護層和所述多晶原材料之間存在很大的區別。在前者(即，多晶保護層)的情況中，晶粒和空隙的尺寸小，晶粒的構型相對恒定，且厚度小，使得透光率為約80-90％。在后者(即，多晶原材料)的情況中，晶粒和空隙的尺寸大，晶粒無規取向，且多晶原材料的厚度大，使得多晶形材料不透明。

圖2包括顯示使用單晶氧化鎂形成的保護層的放電延遲時間的曲線1和顯示使用多晶氧化鎂形成的保護層的放電延遲時間的曲線2。參見曲線1，所述溫度依賴性相對低，但是使用單晶氧化鎂形成的保護層的放電延遲時間長，從而不能使用單掃描操作。

因此，已報道了將多晶氧化鎂而不是單晶氧化鎂應用于PDP保護層的最近研究。參見圖2，盡管單晶氧化鎂具有低的溫度依賴性，但它不能達到單掃描操作所需的放電延遲時間。然而，多晶氧化鎂在高溫下具有快的放電延遲時間和在低溫下具有慢的放電延遲時間。此外，與使用單晶氧化鎂的保護層相比，使用多晶氧化鎂的保護層在制備工藝和雜質調節方面具有相對優勢。而且，由于多晶氧化鎂具有比單晶氧化鎂高的沉積速度，所以可降低工藝指數(process?index)和可提高PDP的生產速度。然而，使用單晶氧化鎂的保護層需要Xe含量少于10％，否則發生嚴重的低放電和可能無法進行圖像傳輸。