[發明專利]保護層材料、其制法、保護層以及等離子體顯示面板

無效

• 申請號: 200810080658.2
• 申請日: 2008-02-28
• 公開（公告）號: CN101256922A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 李玟錫;馬圖利維克·尤利;金石基;崔鐘書;金榮洙;秋希伶;金德炫;徐淳星
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01J9/00
• 分類號: H01J9/00;H01J17/02;H01J17/49
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 宋莉

1.一種用于制備等離子體顯示面板保護層的材料，包括：

單晶氧化鎂；和

稀土元素，

其中所述單晶氧化鎂摻雜有所述稀土元素。

2.權利要求1的材料，其中所述單晶氧化鎂具有(1，0，0)晶面。

3.權利要求1的材料，其中所述稀土元素為選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的一種。

4.權利要求1的材料，還包括選自Al、Ca、Fe、Si、K、Na、Zr、Mn、Cr、Zn、B和Ni的至少一種元素。

5.一種制備用于PDP保護層的材料的方法，包括：

形成氧化鎂或鎂鹽、稀土氧化物或稀土鹽、和溶劑的混合溶液；

煅燒所述混合溶液；

使所述煅燒過的溶液結晶；和

形成摻雜有稀土元素的單晶氧化鎂。

6.權利要求5的方法，其中所述鎂鹽為選自MgCO₃和Mg(OH)₂的一種。

7.權利要求5的方法，其中所述稀土鹽為選自M(NO₃)₃、M₂(SO₄)₃和MCl₃的一種，其中M是所述稀土元素。

8.權利要求5的方法，其中所述混合溶液還包含MgF₂和MF₃作為助熔劑，其中M是所述稀土元素。

9.權利要求5的方法，還包括干燥所述溶液。

10.權利要求5的方法，其中在約400-1,000℃下進行所述混合溶液的煅燒。

11.權利要求5的方法，其中在約2,000-3,000℃下進行所述煅燒過的溶液的結晶。

12.權利要求5的方法，其中所述使該煅燒過的溶液結晶包括形成由非晶區、多晶區和單晶區組成的氧化鎂；和

所述單晶氧化鎂的形成包括從所述結晶的氧化鎂提取所述單晶區。

13.權利要求5的方法，其中所述稀土元素為選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的一種。

14.一種使用摻雜有稀土元素的單晶氧化鎂源沉積的PDP保護層。

15.權利要求14的保護層，其中所述稀土元素為選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的一種。

16.權利要求14的保護層，其中所述摻雜有稀土元素的單晶氧化鎂還包括選自A1、Ca、Fe、Si、K、Na、Zr、Mn、Cr、Zn、B和Ni的至少一種元素。

17.權利要求14的保護層，其中通過將氧化鎂或鎂鹽、稀土氧化物或稀土鹽、和溶劑的混合溶液煅燒和結晶形成所述摻雜有稀土元素的單晶氧化鎂。

18.一種等離子體顯示面板(PDP)，包括：

彼此分開的第一基板和第二基板；

障壁，其通過分隔所述第一基板和第二基板之間的放電空間形成多個放電單元；

多個放電電極對，向該放電電極對施加電壓以在所述放電單元中產生放電；

放電氣體，其注入到所述放電空間中；

第一介電層，其覆蓋所述放電電極對；和

保護層，其在第一介電層上形成且由摻雜有稀土元素的單晶氧化鎂形成。

19.權利要求18的PDP，其中通過將氧化鎂或鎂鹽、稀土氧化物或稀土鹽、和溶劑的混合溶液煅燒和結晶形成所述摻雜有稀土元素的單晶氧化鎂。

20.權利要求19的PDP，其中所述稀土元素為選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的一種。

21.權利要求19的PDP，其中所述摻雜有稀土元素的單晶氧化鎂還包括選自Al、Ca、Fe、Si、K、Na、Zr、Mn、Cr、Zn、B和Ni的至少一種元素。