[發(fā)明專利]HVMOS及集成HVMOS與CMOS的半導(dǎo)體器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810080588.0 | 申請日： | 2008-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN101226962A | 公開（公告）日： | 2008-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 譚健 | 申請（專利權(quán)）人： | 譚健 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/08;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 上海市虹漕南*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | hvmos 集成 cmos 半導(dǎo)體器件 | ||
1.一HVMOS，包括一半導(dǎo)體襯底，一位于該襯底表面的溝道，以及位于該溝道上的一柵極，其特征在于還包括：
一源/漏極，該源/漏極包含一位于所述溝道旁且緊挨著該溝道的輕摻雜區(qū)和一緊挨著該輕摻雜區(qū)的重摻雜區(qū)；
另一源/漏極，該另一源/漏極包含一位于所述溝道旁且緊挨著該溝道的另一輕摻雜區(qū)和一緊挨著該另一輕摻雜區(qū)的重摻雜區(qū)；
一與所述源/漏極摻雜類型相反的反向摻雜阱，該反向摻雜阱包含所述源/漏極，且包含部分該溝道，但不完全包含該溝道；
一與所述源/漏極摻雜類型相反的另一反向摻雜阱，該另一反向摻雜阱位于所述另一源/漏極的另一輕摻雜區(qū)和所述反向摻雜阱之間，且完全包含所述反向摻雜阱所不包含的該溝道部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HVMOS，其特征在于：所述源/漏極的輕摻雜區(qū)是P型輕摻雜區(qū)，所述源/漏極的重摻雜區(qū)是P型重摻雜區(qū)，所述另一源/漏極的另一輕摻雜區(qū)是P型另一輕摻雜區(qū)，所述另一源/漏極的重摻雜區(qū)是P型重摻雜區(qū)，所述反向摻雜阱是N型阱，所述另一反向摻雜阱是N型阱，其摻雜濃度低于所述反向摻雜阱。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的HVMOS，其特征在于：還包括包圍所述源/漏極、所述另一源/漏極、所述反向摻雜阱、所述另一反向摻雜阱、所述溝道的一與所述源/漏極摻雜類型相同的同向摻雜阱。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HVMOS，其特征在于：所述源/漏極的輕摻雜區(qū)是N型輕摻雜區(qū)，所述源/漏極的重摻雜區(qū)是N型重摻雜區(qū)，所述另一源/漏極的另一輕摻雜區(qū)是N型另一輕摻雜區(qū)，所述另一源/漏極的重摻雜區(qū)是N型重摻雜區(qū)，所述反向摻雜阱是P型阱，所述另一反向摻雜阱是P型阱，其摻雜濃度低于所述反向摻雜阱。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的HVMOS，其特征在于：還包括包圍所述源/漏極，所述另一源/漏極、所述反向摻雜阱、所述另一反向摻雜阱、所述溝道的一與所述源/漏極摻雜類型相同的同向摻雜阱。
6.一種集成HVMOS與CMOS的半導(dǎo)體器件，包括設(shè)于一半導(dǎo)體襯底上一CMOS和一HVMOS，其特征在于該HVMOS包括：
一位于該襯底表面的溝道，位于該溝道上的柵極，
一源/漏極，該源/漏極包含一位于所述溝道旁且緊挨著該溝道的輕摻雜區(qū)和一緊挨著該輕摻雜區(qū)的重摻雜區(qū)；
另一源/漏極，該另一源/漏極包含一位于所述溝道旁且緊挨著該溝道的另一輕摻雜區(qū)和一緊挨著該另一輕摻雜區(qū)的重摻雜區(qū)；
一與所述源/漏極摻雜類型相反的反向摻雜阱，該反向摻雜阱包含所述源/漏極，且包含部分該溝道但不全部包含該溝道；
一與所述源/漏極摻雜類型相反的另一反向摻雜阱，該另一反向摻雜阱位于所述另一源/漏極的另一輕摻雜區(qū)和所述反向摻雜阱之間，且完全包含所述反向摻雜阱所不包含的該溝道部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成HVMOS與CMOS的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述CMOS包括一NMOS和一PMOS，所述HVMOS包括一HVNMOS和一HVPMOS，該HVNMOS的源/漏極的重摻雜區(qū)的摻雜濃度比該NMOS源/漏極的重摻雜區(qū)的摻雜濃度低。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成HVMOS與CMOS的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述CMOS包括一NMOS和一PMOS，所述HVMOS包括一HVNMOS和一HVPMOS，該HVPMOS的源/漏極的重摻雜區(qū)的摻雜濃度比該PMOS源/漏極的重摻雜區(qū)的摻雜濃度低。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成HVMOS與CMOS的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述CMOS包括一NMOS和一PMOS，所述NMOS和所述PMOS均包括有溝道和溝道下的阱，所述HVMOS包括一HVNMOS和一HVPMOS，該HVNMOS溝道下的反向摻雜阱與該NMOS溝道下的阱具有相同的摻雜分布。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成HVMOS與CMOS的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述CMOS包括一NMOS和一PMOS，所述NMOS和所述PMOS均包括有溝道和溝道下的阱，所述HVMOS包括一HVNMOS和一HVPMOS，該HVPMOS溝道下的反向摻雜阱與該PMOS溝道下的阱具有相同的摻雜分布。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
