[發明專利]基板載置臺以及基板處理裝置有效
| 申請號: | 200810080550.3 | 申請日: | 2008-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN101261952A | 公開(公告)日: | 2008-09-10 |
| 發明(設計)人: | 南雅人;佐佐木芳彥 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/00;C23F4/00;C23C16/458;C23C14/50;C30B25/12;H01J37/32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板載置臺 以及 處理 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及用于載置平板面板顯示器(FPD)制造用的玻璃基板等基板的基板載置臺以及使用該基板載置臺并對基板進行干式蝕刻等處理的基板處理裝置。
背景技術
例如,在FPD的制造工藝中,一般對作為被處理基板的玻璃基板實施干式蝕刻、噴鍍、CVD(化學氣相沉積)等的等離子體處理。在該等離子體處理中,例如通過在處理室(腔室)內具有一對平行平板電極(上部電極以及下部電極)的基板處理裝置來進行。
具體而言,在處理室內,例如將被處理基板載置在兼做基板載置臺并作為下部電極工作的基座上,向處理室內導入處理氣體并且對上述電極中的至少一方施加高頻電力,從而在電極間形成高頻電場,利用該高頻電場形成處理氣體的等離子體,由此對上述被處理基板進行等離子體處理。
這種載置臺包括:例如由鋁構成的基材、以及形成在該基材上的作為介電性材料層的例如由Al2O3噴鍍膜構成的絕緣層。在該絕緣層中內置有電極板,構成為能夠通過對該電極板施加高電壓而在載置臺上產生的庫倫力,來對被處理基板進行吸附保持。此外,為了提高這種絕緣層的耐腐蝕性,利用樹脂覆蓋上述絕緣層的整個表面(例如參照專利文獻1、2)。
然而,因為實際上在載置臺的表面上具有緩曲面,所以,如果以面接觸方式將被處理基板載置于載置臺上,則會產生間隙,因等離子體處理而很容易堆積附著物。因此,具有因附著物與被處理基板接觸產生蝕刻偏差,以及因附著物導致被處理基板粘附在載置臺上的不良情況。為了防止發生這種不良情況,在現有技術中,公知有在載置臺的表面形成有多個凸部,并能夠以點接觸方式載置被處理基板的技術(例如參照專利文獻3)。
專利文獻1:日本特開平9-298190號公報
專利文獻2:日本特開2003-7812號公報
專利文獻3:日本特開2002-313898號公報
然而,若在載置臺的表面形成有多個凸部,則當在載置臺的表面吸附保持有被處理基板時,有時被處理基板的背面因與凸部接觸而被劃傷。例如,當通過Al2O3噴鍍膜形成載置臺的表面的凸部,并在這樣的載置臺上載置FPD用玻璃基板時,構成凸部的Al2O3的硬度(維氏硬度(vickers?hardness))為Hv1000左右,非常硬,比普通玻璃基板的硬度(Hv600左右)高。若這樣將玻璃基板靜電吸附在載置臺上,則玻璃基板的背面與載置臺的凸部接觸而被劃傷的可能性高。
此外,載置臺表面的凸部有時由陶瓷構成(例如專利文獻3),因為該陶瓷一般具有上述Al2O3以上的硬度,因此,對于由陶瓷構成的凸部而言,劃傷玻璃基板背面的可能性高。
發明內容
因此,本發明是鑒于上述問題而完成的,其目的在于提供一種當載置有基板時,能夠防止基板背面被劃傷的基板載置臺以及基板處理裝置。
為了解決上述問題,根據本發明的一個方面提供一種基板載置臺,其用于載置由基板處理裝置進行處理的基板,該基板載置臺的特征在于,包括:基材;在上述基材上形成的、用于載置上述基板的介電性材料層;以及在上述介電性材料層上形成的多個凸部,其中,上述各凸部至少與上述基板接觸的接觸部分由硬度比上述基板的硬度低的材料構成。
為了解決上述問題,根據本發明的另一方面提供一種具有對基板實施規定處理的處理室的基板處理裝置,其特征在于,包括:設置在上述處理室內,用于載置上述基板的基板載置臺;向上述處理室供給處理氣體的氣體供給單元;以及用于對上述處理室內進行排氣的排氣單元,其中,上述基板載置臺包括:基材;在上述基材上形成的、用于載置上述基板的介電性材料層;以及在上述介電性材料層上形成的多個凸部,上述各凸部至少與上述基板接觸的接觸部分由硬度比上述基板的硬度低的材料構成。
根據本發明,因為上述各凸部至少與上述基板接觸的接觸部分由硬度比上述基板的硬度低的材料構成,所以,能夠在介電性材料層上載置基板時防止基板的背面被刮傷。
此外,上述各凸部的上部可以由硬度比上述基板的硬度低的材料構成,也可以是上述各凸部的全部由硬度比上述基板的硬度低的材料構成。無論何種情況,與基板接觸的接觸部分能夠由硬度比基板的硬度低的材料構成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





