[發明專利]基板載置臺以及基板處理裝置有效
| 申請號: | 200810080550.3 | 申請日: | 2008-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN101261952A | 公開(公告)日: | 2008-09-10 |
| 發明(設計)人: | 南雅人;佐佐木芳彥 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/00;C23F4/00;C23C16/458;C23C14/50;C30B25/12;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人: | 劉春成 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板載置臺 以及 處理 裝置 | ||
1.一種基板載置臺,用于載置由基板處理裝置進行處理的基板,該基板載置臺的特征在于,包括:
基材;
在所述基材上形成的、用于載置所述基板的介電性材料層;以及
在所述介電性材料層上形成的多個凸部,其中,
所述各凸部的至少與所述基板接觸的接觸部分由硬度比所述基板的硬度低的材料構成。
2.如權利要求1所述的基板載置臺,其特征在于:
所述各凸部的上部由硬度比所述基板的硬度低的材料構成。
3.如權利要求1所述的基板載置臺,其特征在于:
所述各凸部的全部由硬度比所述基板的硬度低的材料構成。
4.如權利要求1所述的基板載置臺,其特征在于:
所述介電性材料層在下部介電性材料層和上部介電性材料層之間形成有用于將所述基板靜電吸附在所述介電性材料層上的導電層。
5.一種基板載置臺,其用于載置由基板處理裝置進行處理的基板,該基板載置臺的特征在于,包括:
基材;
介電性材料層,其形成在所述基材上,并且在下部介電性材料層和上部介電性材料層之間具有用于將所述基板靜電吸附在所述上部介電性材料層上的導電層;
在所述上部介電性材料層上形成的多個凸部;以及
在所述上部介電性材料層的周邊以包圍由所述凸部所形成的區域周圍的方式形成的臺部,其中,
所述各凸部和所述臺部的至少與所述基板接觸的接觸部分由硬度比所述基板的硬度低的材料構成。
6.一種基板載置臺,其用于載置由基板處理裝置進行處理的基板,該基板載置臺的特征在于,包括:
基材;
介電性材料層,其形成在所述基材上,并且在下部介電性材料層和上部介電性材料層之間具有用于將所述基板靜電吸附在所述上部介電性材料層上的導電層;
在所述上部介電性材料層上形成的多個凸部;
在所述上部介電性材料層的周邊以包圍由所述凸部所形成的區域周圍的方式形成的臺部;
用于向所述下部介電性材料層與被靜電吸附在所述上部介電性材料層上的所述基板背面之間供給氣體的氣體流路;以及
形成在所述介電性材料層上,用于將來自所述氣體流路的氣體向所述基板的背面引導的多個氣體孔,其中,
所述各凸部的至少與所述基板接觸的接觸部分由硬度比所述基板的硬度低的材料構成。
7.如權利要求6所述的基板載置臺,其特征在于:
構成所述臺部的基板接觸部分的材料與構成所述各凸部的基板接觸部分的材料不同。
8.如權利要求7所述的基板載置臺,其特征在于:
構成所述臺部的基板接觸部分的材料的硬度比構成所述各凸部的材料的硬度高。
9.如權利要求8所述的基板載置臺,其特征在于:
所述各凸部被配置成格子狀,
所述氣體孔被配置成在所述各凸部的周圍分別配置有所述多個氣體孔。
10.如權利要求1~9中任一項所述的基板載置臺,其特征在于:
所述基板為平板顯示器制造用的玻璃基板,
硬度比所述基板的硬度低的材料為鋁或者樹脂。
11.一種基板處理裝置,具有對基板實施規定處理的處理室的,其特征在于,包括:
設置在所述處理室內,用于載置所述基板的基板載置臺;
向所述處理室內供給處理氣體的氣體供給單元;以及
用于對所述處理室內進行排氣的排氣單元,其中,
所述基板載置臺包括:基材;在所述基材上形成的、用于載置所述基板的介電性材料層;以及在所述介電性材料層上形成的多個凸部,所述各凸部的至少與所述基板接觸的接觸部分由硬度比所述基板的硬度低的材料構成。
12.如權利要求11所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述基板為平板顯示器制造用的玻璃基板,
硬度比所述基板的硬度低的材料為鋁或者樹脂。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東京毅力科創株式會社,未經東京毅力科創株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810080550.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





