[發明專利]半導體存儲裝置的制造方法、再生方法、及再出貨方法

有效

• 申請號: 200810080409.3
• 申請日: 2008-02-18
• 公開（公告）號: CN101276644A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 藤井成久
• 申請（專利權）人: 沖電氣工業株式會社
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/10;H01L29/792
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 黃綸偉

1.一種半導體存儲裝置的制造方法，該半導體存儲裝置由形成在半導體基板上的FET結構的多個存儲單元構成，上述多個存儲單元中的各個存儲單元存儲單位比特而保存有信息數據，其特征在于，該制造方法具有：

準備工序，準備上述多個存儲單元；

寫入工序，將上述信息數據的各比特寫入到上述各個存儲單元內；

烘干工序，在上述寫入工序后，將上述各個存儲單元在規定的周圍溫度下放置規定時間；以及

再寫入工序，在上述烘干工序后，將上述信息數據的各比特寫入到上述各個存儲單元內。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置的制造方法，其特征在于，所述制造方法具有追加工序，該追加工序在上述再寫入工序后，將上述烘干工序和上述再寫入工序作為組，執行上述組至少1次。

3.一種半導體存儲裝置的再生方法，該半導體存儲裝置由形成在半導體基板上的FET結構的多個存儲單元構成，上述多個存儲單元中的各個存儲單元存儲單位比特而保存有信息數據，其特征在于，上述再生方法具有：

刪除工序，刪除已寫入在所述各個存儲單元內的已寫入信息數據；

寫入工序，在上述刪除工序后，將新的信息數據的各比特寫入到上述各個存儲單元內；

烘干工序，在上述寫入工序后，將上述各個存儲單元在規定的周圍溫度下放置規定時間；以及

再寫入工序，在上述烘干工序后，將上述新的信息數據的各比特寫入到上述各個存儲單元內。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲裝置的再生方法，其特征在于，上述再生方法具有追加工序，該追加工序在上述再寫入工序后，將上述烘干工序和上述再寫入工序作為組，執行上述組至少1次。

5.一種半導體存儲裝置的再出貨方法，該半導體存儲裝置由形成在半導體基板上的FET結構的多個存儲單元構成，上述多個存儲單元中的各個存儲單元保存數據，其特征在于，該再出貨方法具有：

在半導體晶片上形成上述多個存儲單元的工序；

將由上述多個存儲單元構成的多個半導體存儲裝置單片化的工序；

將上述單片化后的多個半導體存儲裝置封裝的工序；

將基于來自顧客的數據寫入請求的第1數據寫入到封裝后的上述半導體存儲裝置的上述各個存儲單元內的第1寫入工序；

將上述半導體存儲裝置出貨給顧客的工序；

從上述顧客收取寫入有上述第1數據的上述半導體存儲裝置的工序；

刪除在上述半導體存儲裝置內寫入的上述第1數據的工序；

將基于來自上述顧客的數據改寫請求的第2數據寫入到上述半導體存儲裝置內的第2寫入工序；

在上述第2寫入工序后，將上述半導體存儲裝置在規定的周圍溫度下放置規定時間的烘干工序；

在上述烘干工序后，將上述第2數據寫入到上述半導體存儲裝置的上述各個存儲單元內的第3寫入工序；以及

將寫入有上述第2數據的上述半導體存儲裝置再出貨給上述顧客的再出貨工序。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲裝置的再出貨方法，其特征在于，上述再出貨方法具有追加工序，該追加工序在上述第3寫入工序后，將上述烘干工序和上述第3寫入工序作為組，執行上述組至少1次。