[發明專利]半導體存儲裝置的制造方法、再生方法、及再出貨方法

有效

• 申請號: 200810080409.3
• 申請日: 2008-02-18
• 公開（公告）號: CN101276644A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 藤井成久
• 申請（專利權）人: 沖電氣工業株式會社
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/10;H01L29/792
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 黃綸偉

技術領域

本發明涉及由FET結構的多個存儲單元構成的半導體存儲裝置的制造方法和該半導體存儲裝置的再生方法以及半導體存儲裝置的再出貨方法。

背景技術

作為保存信息數據而不需要電力的存儲裝置，存在由將絕緣膜中的電荷陷阱用于電荷蓄積的FET結構(由源極、柵極和漏極構成的場效晶體管的結構)的多個存儲單元構成的非易失性半導體存儲裝置(例如，參照專利文獻1)。在這種非易失性半導體存儲裝置的情況下，由于重復進行信息數據的寫入或刪除，而使電荷保持特性惡化。并且，在信息數據的寫入時，容易受到干擾。干擾是指在將信息數據寫入到其他存儲單元內時，某個存儲單元受到的影響。因此，這種非易失性半導體存儲裝置在一次寫入信息數據后，就不能進行信息數據的改寫。這種在一次寫入信息數據后就不能進行信息數據的改寫的非易失性半導體存儲裝置用作存儲程序的存儲裝置。有時期望程序不能改寫，在一次寫入信息數據后就不能進行信息數據的改寫的非易失性半導體存儲裝置可防止程序的篡改等，適用于存儲程序的存儲裝置。

【專利文獻1】日本特開2005-64295號公報

在如上所述的裝置中，由于將絕緣膜中的電荷陷阱用于電荷蓄積，因此當重復進行信息數據的寫入或刪除時，電荷保持特性惡化，并且在信息數據的寫入時，容易受到干擾。因此，這種非易失性半導體存儲裝置用作存儲程序的存儲裝置，在一次寫入信息數據后就不能進行信息數據的改寫。并且，由于在一次寫入信息數據后就不能進行信息數據的改寫，因而可防止程序的篡改等。然而，在程序的開發中，為了進行程序的修正等，期望的是能改寫由非易失性半導體存儲裝置所保存的信息數據。只要能改寫由存儲程序的非易失性半導體存儲裝置所保存的信息數據，就能使用相同的非易失性半導體存儲裝置在該情況下進行修改過的程序的動作確認。

并且，在非易失性半導體存儲裝置的制造過程中，為了進行非易失性半導體存儲裝置的動作確認，而進行信息數據的寫入和刪除。在該動作確認后，非易失性半導體存儲裝置被寫入信息數據并出貨。這樣，當為了進行動作確認而進行信息數據的寫入和刪除時，之后的電荷保持特性惡化。

發明內容

本發明是鑒于上述方面而完成的，本發明的目的是提供一種即使重復進行信息數據的寫入和刪除，也能防止電荷保持特性的惡化的半導體存儲裝置的制造方法、再生方法以及再出貨方法。

本發明的半導體存儲裝置的制造方法是如下的半導體存儲裝置的制造方法：該半導體存儲裝置由形成在半導體基板上的FET結構的多個存儲單元構成，多個存儲單元中的各個存儲單元存儲單位比特而保存有信息數據，其特征在于，該制造方法具有：準備工序，準備多個存儲單元；寫入工序，將信息數據的各比特寫入到各個存儲單元內；烘干工序，在寫入工序后，將各個存儲單元在規定的周圍溫度下放置規定時間；以及再寫入工序，在烘干工序后，將信息數據的各比特寫入到各個存儲單元內。

本發明的半導體存儲裝置的再生方法是如下的半導體存儲裝置的再生方法：該半導體存儲裝置由形成在半導體基板上的FET結構的多個存儲單元構成，多個存儲單元中的各個存儲單元存儲單位比特而保存有信息數據，其特征在于，該再生方法具有：刪除工序，刪除已寫入在各個存儲單元內的已寫入信息數據；寫入工序，在刪除工序后，將新的信息數據的各比特寫入到各個存儲單元內；烘干工序，在寫入工序后，將各個存儲單元在規定的周圍溫度下放置規定時間；以及再寫入工序，在烘干工序后，將新的信息數據的各比特寫入到各個存儲單元內。

本發明的半導體存儲裝置的再出貨方法是如下的半導體存儲裝置的再出貨方法：該半導體存儲裝置由形成在半導體基板上的FET結構的多個存儲單元構成，多個存儲單元中的各個存儲單元保存數據，其特征在于，該再出貨方法具有：在半導體晶片上形成多個存儲單元的工序；將由多個存儲單元構成的多個半導體存儲裝置單片化的工序；將單片化后的多個半導體存儲裝置封裝的工序；將基于來自顧客的數據寫入請求的第1數據寫入到封裝后的半導體存儲裝置的各個存儲單元內的第1寫入工序；將半導體存儲裝置出貨給顧客的工序；從顧客收取寫入有第1數據的半導體存儲裝置的工序；刪除在半導體存儲裝置內寫入的第1數據的工序；將基于來自顧客的數據改寫請求的第2數據寫入到半導體存儲裝置內的第2寫入工序；在第2寫入工序后，將半導體存儲裝置在規定的周圍溫度下放置規定時間的烘干工序；在烘干工序后，將第2數據寫入到半導體存儲裝置的各個存儲單元內的第3寫入工序；以及將寫入有第2數據的半導體存儲裝置再出貨給顧客的再出貨工序。

附圖說明