[發(fā)明專利]立式熱處理裝置以及立式熱處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810074119.8 | 申請日: | 2008-02-14 |
| 公開(公告)號: | CN101246815A | 公開(公告)日: | 2008-08-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 似鳥弘彌;菱谷克幸 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/677;F27B17/00;F27D1/18;F27D3/00;F27D5/00 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 劉春成 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 立式 熱處理 裝置 以及 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及立式熱處理裝置以及立式熱處理方法。
背景技術(shù)
在半導體裝置的制造過程中,對半導體晶片(基板)例如實施氧化處理、成膜處理等各種處理工序,使用例如能夠批量式處理多個晶片的立式熱處理裝置(半導體制造裝置)作為進行這種處理的裝置(例如,參照專利文獻1)。對于該立式熱處理裝置,在下部具有爐口的立式熱處理爐的下方具有裝載區(qū)域(移載區(qū)域),在該裝載區(qū)域內(nèi)設(shè)置有:在開閉上述爐口的蓋體上部,通過保溫筒載置搭載保持有多個(100~150左右)大口徑(例如直徑為300mm)晶片的舟體(基板保持件),并通過使蓋體升降來使舟體搬入搬出熱處理爐內(nèi)的升降機構(gòu);在收納有多個晶片的載體(收納容器)與上述舟體之間對晶片進行移載的移載機構(gòu)等。
上述舟體由石英制成,其造價非常高昂。此外,上述晶片其價格也非常高昂,隨著處理工序的進展,其制造費用也增加。因此,需慎重對其進行處理。
然而,在上述批量式半導體制造裝置中,在裝置的構(gòu)成上,軟硬方面均存在各種制約,難以確保抗震構(gòu)造以及抗震功能,現(xiàn)狀是沒有充分的抗震對策。因此,若發(fā)生地震,裝置承受較大搖擺,則舟體有可能倒轉(zhuǎn)、舟體以及晶片有可能發(fā)生破損、引起較大損害。
為了解決上述問題,在專利文獻1揭示的立式熱處理裝置中,采用的是利用基板保持件固定部件相互地連接固定基板保持件的底板和保溫筒的構(gòu)造。
然而,在立式熱處理裝置中,使用兩個上述舟體,并且設(shè)置有為了進行晶片的移載對舟體進行載置的舟體載置臺、和在該舟體載置臺以及保溫筒之間進行舟體搬送的舟體搬送機構(gòu)。采用的是在將一方的舟體搬入到熱處理爐內(nèi)進行熱處理期間,對舟體載置臺上的另一方舟體進行晶片的移載,即所謂的雙舟體系統(tǒng)。
然而,在采用這種雙舟體系統(tǒng)的立式熱處理裝置中,因為隨著保溫筒上的舟體的移交,難以采用通過基板保持件固定部件來連接固定保溫筒和基板保持件的構(gòu)造,因此,若受到地震等外力,則不光保溫筒上的舟體、舟體載置臺上的舟體,甚至就連舟體搬送機構(gòu)上的舟體也有可能倒轉(zhuǎn)。其中,本發(fā)明人先前已經(jīng)提出有能夠分別防止保溫筒上的舟體以及舟體載置臺上的舟體倒轉(zhuǎn)的立式熱處理裝置以及立式熱處理方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的,其目的在于提供一種即便對于雙舟體系統(tǒng)也能夠以簡單的構(gòu)造防止因地震等外力引起舟體搬送機構(gòu)上的舟體發(fā)生倒轉(zhuǎn)的立式熱處理裝置以及立式熱處理方法。
本發(fā)明提供一種立式熱處理裝置,其特征在于,包括:下部形成有爐口的熱處理爐;多層保持多個基板并且被搬入到熱處理爐內(nèi)對基板進行熱處理的一對基板保持件;封閉熱處理爐的爐口的蓋體;設(shè)置在蓋體上的保溫筒;使蓋體升降的升降機構(gòu);鄰接設(shè)置在熱處理爐的下方的保持件載置臺;以及在保溫筒上以及保持件載置臺上之間對一對基板保持件的各個進行搬送的保持件搬送機構(gòu),其中,在上述保持件搬送機構(gòu)上設(shè)置有限制各基板保持件發(fā)生倒轉(zhuǎn)的倒轉(zhuǎn)限制部件。
本發(fā)明的立式熱處理裝置,其特征在于:上述基板保持件具有底板、頂板以及設(shè)置在底板與頂板之間并且用于多層保持基板的支柱,上述保持件搬送機構(gòu)具有支撐上述基板保持件的底板的下面的支撐部,上述倒轉(zhuǎn)限制部件具有隔著間隙與支撐在上述支撐部上的底板的上面相對的限制片。
本發(fā)明的立式熱處理裝置,其特征在于:上述倒轉(zhuǎn)限制部件還具有使該限制片從側(cè)面突出退回的驅(qū)動部。
本發(fā)明的立式熱處理裝置,其特征在于:上述基板保持件具有底板、頂板以及設(shè)置在底板與頂板之間并且用于多層保持基板的支柱,上述保持件搬送機構(gòu)具有支撐上述基板保持件的底板的下面的支撐部,上述倒轉(zhuǎn)限制部件具有從上述支撐部的后方立起設(shè)置的并且用于按壓基板保持件的頂板的頂板按壓部。
本發(fā)明的立式熱處理裝置,其特征在于:上述基板保持件具有底板、頂板以及設(shè)置在底板與頂板之間并且用于多層保持基板的支柱,上述保持件搬送機構(gòu)具有支撐上述基板保持件的底板的下面的支撐部,在上述基板保持件的底板的上面形成有限制槽,上述倒轉(zhuǎn)限制部件具有與上述限制槽隔開少許間隔相對的限制桿。
本發(fā)明的立式熱處理裝置,其特征在于:上述基板保持件具有底板、頂板以及設(shè)置在底板與頂板之間并且用于多層保持基板的支柱,上述保持件搬送機構(gòu)具有支撐上述基板保持件的底板的下面的支撐部,在上述基板保持件的底板的兩側(cè)形成有平行的一對橫孔,上述倒轉(zhuǎn)限制部件具有插入上述橫孔的限制桿。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東京毅力科創(chuàng)株式會社,未經(jīng)東京毅力科創(chuàng)株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810074119.8/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





