[發明專利]太陽能電池銅銦鎵硒薄膜關鍵靶材及其制備方法

有效

• 申請號: 200810073549.8
• 申請日: 2008-04-23
• 公開（公告）號: CN101260513A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 王東生;黃開盛;龍飛;李建軍;鄒正光
• 申請（專利權）人: 王東生
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 廣西南寧明智專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 黎明天

1、一種太陽能電池銅銦鎵硒(CIGS)薄膜關鍵靶材，其特征在于所述靶材以CuIn_(1-x)Ga_xSe₂為主相，Cu、In、Ga、Se粉的摩爾比分別是Cu：1、In：0.6～1.2、Ga：0.2～0.8、Se：1.8～2.5。

2、如權利要求1所述靶材的制備方法，其特征在于制備工藝如下：

以Cu、In、Ga、Se粉為原料，按Cu：1、In：0.6～1.2、Ga：0.2～0.8、Se：1.8～2.5的摩爾比混合，加入無水乙醇，充分濕潤后在氬氣氣氛保護下以100～250r/min的轉速球磨12～24h，球磨后的原料經干燥后進行固相合成，獲得CIGS粉體，再經球磨、預成型、等靜壓成型后置入氬氣氣氛保護中進行高溫燒結，獲得CIGS靶材。

3、根據權利要求2所述靶材的制備方法，其特征在于：固相合成是將球磨后的Cu、In、Ga、Se粉混合原料在氬氣氣氛保護下升溫至350～550℃，保溫1～4h，冷卻后獲得CIGS粉體。

4、根據權利要求2所述靶材的制備方法，其特征在于：等靜壓成型是在150～300Mpa條件下進行。

5、根據權利要求2所述靶材的制備方法，其特征在于：高溫燒結的過程是在500～850℃保溫2～4h。

6、采用權利要求1所述的靶材通過現有磁控濺射工藝濺射而成的CIGS薄膜。