[發(fā)明專利]一種減小提拉法生長晶體內部熱應力的后加熱器裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810072460.X
• 申請日: 2008-12-25
• 公開（公告）號: CN101760774A
• 公開（公告）日: 2010-06-30
• 發(fā)明（設計）人: 吳少凡;莊松巖
• 申請（專利權）人: 福建福晶科技股份有限公司
• 主分類號: C30B15/14
• 分類號: C30B15/14;C30B33/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種減小提拉法生長晶體內部熱應力的后加熱器裝置，其特征在于：該后加熱器裝置是采用氧化鋯纖維加工成的定型上保溫罩，上保溫罩有內外2層氧化鋯纖維筒組成，兩層之間埋入熱鉻鋁高溫電阻加熱絲，通過調節(jié)加熱絲的加熱功率，提供一個附加熱源，在上保溫罩內部形成一個溫度梯度相對小的退火空間，使得晶體頭部和尾部的溫度梯度較小，從而起到了降低晶體內部熱應力的效果。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種減小提拉法生長晶體內部熱應力的后加熱器裝置，其特征在于：保溫罩材料可以為氧化鋁、氧化釔。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種減小提拉法生長晶體內部熱應力的后加熱器裝置，其特征在于：該裝置可以用于激光晶體摻釹釩酸釔、釩酸釓、釔鋁石榴石、鋁酸釔晶體生長，以及閃爍晶體摻鈰硅酸釔镥晶體生長。