[發(fā)明專利]一種氮化硅納米線和納米帶的制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810063927.4
• 申請(qǐng)日: 2008-01-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101224876A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張曉東;溫廣武;黃小蕭;鐘博;白宏偉;邢雙穎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): C01B21/068
• 分類號(hào): C01B21/068;C04B35/584
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 金永煥

1.一種氮化硅納米線和納米帶的制備方法，其特征在于氮化硅納米線和納米帶的制備方法按以下步驟進(jìn)行：一、將工業(yè)硅粉裝入坩堝后放入氣氛燒結(jié)爐中，抽真空，使氣氛燒結(jié)爐的真空度低于10Pa；二、向氣氛燒結(jié)爐內(nèi)充入氮?dú)猓範(fàn)t內(nèi)氣體壓強(qiáng)達(dá)0.1～2.0MPa；三、氣氛燒結(jié)爐以5～30℃/min的速度升溫到1200～1600℃，并保溫?zé)Y(jié)5～360min后隨爐冷卻至室溫，得氮化硅納米線和納米帶。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化硅納米線和納米帶的制備方法，其特征在于步驟一中所用工業(yè)硅粉的粉體粒徑為1～5μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化硅納米線和納米帶的制備方法，其特征在于步驟一中所用工業(yè)硅粉的粉體粒徑為3μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化硅納米線和納米帶的制備方法，其特征在于步驟二中爐內(nèi)氣體壓強(qiáng)達(dá)1MPa。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化硅納米線和納米帶的制備方法，其特征在于步驟三中氣氛燒結(jié)爐以10℃/min的速度升溫到1400℃，并保溫?zé)Y(jié)100min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化硅納米線和納米帶的制備方法，其特征在于步驟三中氣氛燒結(jié)爐以15℃/min的速度升溫到1500℃，并保溫?zé)Y(jié)240min。