[發明專利]表面抗菌、耐磨的金屬/陶瓷納米多層膜的制備方法

有效

• 申請號: 200810063860.4
• 申請日: 2008-01-16
• 公開（公告）號: CN101220454A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發明（設計）人: 田修波;韋春貝;楊士勤
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所
• 代理人: 韓末洙

1.一種表面抗菌、耐磨的金屬/陶瓷納米多層膜的制備方法，其特征在于表面抗菌、耐磨的金屬/陶瓷納米多層膜的制備方法步驟如下：??一、用磁控濺射法，將基體放入真空室靶臺上，在本底真空度為10^-4～10^-2Pa的條件下，通入氬氣用氬離子對基體濺射清洗15～30min；二、在氬氣與氮氣、乙炔或甲烷三種氣體中的一種的氣體流量比為2～17∶1，總氣壓為0.1～1.0Pa，磁控濺射電流為0.2～50A，濺射電壓為300～600V，基體偏壓為-50～-400V，沉積溫度為80℃～400℃的條件下，對由金屬靶1和金屬靶2組成的對靶進行濺射，使金屬層和陶瓷層交替沉積，每層膜厚度周期為2nm～500nm，最后膜層最外層為陶瓷層，膜層總厚度為0.1μm～10μm，金屬銀、銅、鋅中的一種或幾種在陶瓷膜層中的含量為2～50at.％。

2.根據權利要求1所述的表面抗菌、耐磨的金屬/陶瓷納米多層膜的制備方法，其特征在于步驟一中的基體為陶瓷、塑料、不銹鋼、高速鋼、硬質合金或鋁合金。

3.根據權利要求1所述的表面抗菌、耐磨的金屬/陶瓷納米多層膜的制備方法，其特征在于步驟一中的磁控濺射為直流磁控濺射或射頻磁控濺射。

4.根據權利要求1所述的表面抗菌、耐磨的金屬/陶瓷納米多層膜的制備方法，其特征在于步驟二中金屬靶1為鈦、鉻或鋯。

5.根據權利要求1所述的表面抗菌、耐磨的金屬/陶瓷納米多層膜的制備方法，其特征在于步驟二中金屬靶1為鈦-銀合金靶、鈦-銅合金靶、鈦-鋅合金靶、鉻-銀合金靶、鉻-銅合金靶、鉻-鋅合金靶、鋯-銀合金靶、鋯-銅合金靶或鋯-鋅合金靶。

6.根據權利要求1所述的表面抗菌、耐磨的金屬/陶瓷納米多層膜的制備方法，其特征在于步驟二中金屬靶1為鈦-銀拼靶、鈦-銅拼靶、鈦-鋅拼靶、鉻-銀拼靶、鉻-銅拼靶、鉻-鋅拼靶、鋯-銀拼靶、鋯-銅拼靶或鋯-鋅拼靶。

7.根據權利要求1所述的表面抗菌、耐磨的金屬/陶瓷納米多層膜的制備方法，其特征在于步驟二中金屬靶2為銀、銅、鋅、銀-銅合金靶、銅-鋅合金靶、銀-鋅合金靶或銀-銅-鋅合金靶。

8.根據權利要求1所述的表面抗菌、耐磨的金屬/陶瓷納米多層膜的制備方法，其特征在于步驟二中金屬靶2為銀-銅拼靶、銅-鋅拼靶、銀-鋅拼靶或銀-銅-鋅拼靶。?

9.根據權利要求1所述的表面抗菌、耐磨的金屬/陶瓷納米多層膜的制備方法，其特征在于步驟二中陶瓷層為TiC、TiN、CrN或ZrN。

10.根據權利要求1所述的表面抗菌、耐磨的金屬/陶瓷納米多層膜的制備方法，其特征在于步驟二中金屬層為Ag、Cu、Zn、Cu-Zn、Ag-Cu、Ag-Zn或Ag-Cu-Zn金屬層。