[發明專利]一種單壁納米碳管薄膜的純化方法無效
| 申請號： | 200810062632.5 | 申請日： | 2008-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN101319354A | 公開（公告）日： | 2008-12-10 |
| 發明（設計）人： | 李振華;汪華鋒;曲紹興;葉敏;王淼 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C30B23/00 | 分類號： | C30B23/00;C30B29/02;C30B33/00;C30B31/02;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 | 代理人： | 張法高 |
| 地址： | 310027*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 薄膜 純化 方法 | ||
1.一種單壁納米碳管薄膜的純化方法，其特征在于包括如下步驟：
1)將厚度為1微米～100微米的單壁納米碳管薄膜，放入無水酒精中浸泡1～2小時，然后再用30mm×30mm×3mm～50mm×50mm×3mm的普通玻璃基板或硅基板將其撈出，使單壁納米碳管薄膜平展在普通玻璃基板或硅基板上，單壁納米碳管薄膜上的無水酒精會被自然蒸發；
或者，將直接沉積在普通玻璃基板或硅基板表面上厚度為1微米～100微米的單壁納米碳管薄膜，直接放入無水酒精中浸泡1～2小時，取出普通玻璃基板或硅基板后，單壁納米碳管薄膜上的無水酒精會被自然蒸發；
2)把附著在普通玻璃基板或硅基板上的單壁納米碳管薄膜放入管式爐中進行氧化，以除去無定形碳，氧化溫度為380℃～480℃，氧化時間為2～4小時；
3)將經氧化后附著在普通玻璃基板或硅基板上的單壁納米碳管薄膜放入濃度為3M的鹽酸溶液中浸泡8～24小時，以除去金屬催化劑顆粒。
2.根據權利要求1所述的一種單壁納米碳管薄膜的純化方法，其特征在于所述的單壁納米碳管薄膜采用鐵粉為催化劑，鐵粉與石墨粉的摩爾比為1∶100條件下制備的，單壁納米碳管薄膜的氧化溫度為380℃，氧化時間為4小時。
3.根據權利要求1所述的一種單壁納米碳管薄膜的純化方法，其特征在于所述的單壁納米碳管薄膜采用鉬粉和鐵粉二元催化劑，鉬粉、鐵粉與石墨粉的摩爾比為1∶0.3∶100條件下制備的，單壁納米碳管薄膜的氧化溫度為480℃，氧化時間為2小時。
4.根據權利要求1所述的一種單壁納米碳管薄膜的純化方法，其特征在于所述的單壁納米碳管薄膜采用鉬粉和鐵粉二元催化劑，鉬粉、鐵粉與石墨粉的摩爾比為1∶0.5∶100條件下制備的，單壁納米碳管薄膜的氧化溫度為400℃，氧化時間為3小時。
5.根據權利要求1所述的一種單壁納米碳管薄膜的純化方法，其特征在于所述的單壁納米碳管薄膜采用鉬粉和鐵粉二元催化劑，鉬粉、鐵粉與石墨粉的摩爾比為1∶1∶100條件下制備的，單壁納米碳管薄膜的氧化溫度為480℃，氧化時間為2小時。
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