[發明專利]TiN納米粉體的制備方法無效
| 申請號： | 200810062468.8 | 申請日： | 2008-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN101289174A | 公開（公告）日： | 2008-10-22 |
| 發明（設計）人： | 趙高凌;吳歷清;段鋼鋒;韓高榮;翁文劍;杜丕一;沈鴿;徐剛;張溪文;宋晨路;程逵;汪建勛 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C01B21/076 | 分類號： | C01B21/076 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 | 代理人： | 韓介梅 |
| 地址： | 310027*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tin 納米 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.TiN納米粉體的制備方法，其特征在于步驟如下：
1)清洗基片；
2)將基片放入氣相沉積反應室，反應室抽真空，通入惰性氣體；
3)在保持抽真空的狀態下，將反應室加熱至580～800℃；
4)將NH3和預熱到41.2℃的鈦源以惰性氣體為載氣通入反應室，控制惰性氣體、NH3和鈦源的流量比為5～100∶1～10∶1，保持反應室中的壓力在－0.02兆帕；
5)在基片表面和尾氣中收集TiN納米粉體；
上述的鈦源是TiCl4、Ti[N(CH3)2]4和Ti[N(C2H5)2]4中的一種或其混合物，所說的惰性氣體是氮氣、氦氣、氖氣、氬氣和氙氣中的一種或其混合物。
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