[發明專利]二元磁性氧化物單晶納米片的制備方法

無效

• 申請號: 200810060743.2
• 申請日: 2008-04-18
• 公開（公告）號: CN101560695A
• 公開（公告）日: 2009-10-21
• 發明（設計）人: 胡勇;鐘依均
• 申請（專利權）人: 浙江師范大學
• 主分類號: C30B29/16
• 分類號: C30B29/16;C30B7/14;C01G1/02;C01G45/02;C01G51/04;C01G53/04;C01G49/06;H01F1/10
• 代理公司: 金華科源專利事務所有限公司
• 代理人: 胡杰平

1.一種二元磁性氧化物單晶納米片的制備方法，其特征在于該制備方法是：用二甘 醇作溶劑，以無機鹽醋酸錳、硝酸鈷、硝酸鐵、硝酸鎳中的一種作為反應前驅物，采取回 流的方法控制反應前驅物的熱分解，所得液體經回流老化后，離心分離，得到的沉淀物經 水和乙醇溶液洗滌后，再經烘干、退火，即得到一種二元磁性氧化物單晶納米片；其中： 二甘醇與反應前驅物的配比采用在50ml的二甘醇中加入5.000×10^-3mol的反應前驅物， 回流老化的溫度為140℃或170℃或190℃，回流老化的時間為4小時，離心分離采用每分 鐘6000轉速離心分離30分鐘，烘干溫度為60℃，退火采用500℃燒結退火5小時。