[發明專利]單壁碳納米管薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 200810059933.2
• 申請日: 2008-03-04
• 公開（公告）號: CN101481788A
• 公開（公告）日: 2009-07-15
• 發明（設計）人: 李振華;王淼;汪華鋒;曲紹興;葉敏
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/22;C23C14/54
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司
• 代理人: 張法高

1.一種單壁碳納米管薄膜的制備方法，其特征在于，將鉬粉和鐵粉填充入Φ6×50mm的石墨棒內形成復合石墨陽極，并安裝在電弧放電裝置內，鉬粉的摩爾百分數為0.1％～1％，鐵粉的摩爾百分數為0.2～1.6％，采用氫氣和氬氣的混合氣體，氫氣和氬氣壓力比為2：3，總壓強為150～250Torr的條件下，復合石墨陽極的放電電流為70～100A，電弧放電5～30秒，在電弧放電裝置內的上球冠形石墨陰極上可以得到單壁碳納米管薄膜。

2.一種單壁碳納米管薄膜的制備方法，其特征在于，將鉬粉、鎳粉和釔粉填充入Φ6×50mm的石墨棒內形成復合石墨陽極，并安裝在電弧放電裝置內，鉬粉的摩爾百分數為0.1％～1％，鎳粉的摩爾百分數為2％～5％，釔粉的摩爾百分數為0.5％～1.3％，采用氦氣，氦氣的壓力300～600Torr的條件下，復合石墨陽極放電電流為50～80A，電弧放電30～100秒，在電弧放電裝置內的上球冠形陰極石墨極板陰極上收集得到單壁碳納米管薄膜。

3.一種單壁碳納米管薄膜的制備方法，其特征在于，將鉬粉和鈷粉填充入Φ6×50mm的石墨棒內形成復合石墨陽極，并安裝在電弧放電裝置內，鉬粉的摩爾百分數為0.1％～1.6％，鈷粉的摩爾百分數為0.3％～2％，采用氬氣，氬氣的壓強為300～600Torr的條件下，復合石墨陽極放電電流為50～80A，電弧放電20～100秒，在電弧放電裝置內的上球冠形陰極石墨極板陰極上收集得到單壁碳納米管薄膜。