[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法有效
| 申請號: | 200810057931.X | 申請日: | 2008-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN101515587A | 公開(公告)日: | 2009-08-26 |
| 發明(設計)人: | 申偉;權基瑛;劉華 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 陣列 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法,尤其涉及一種在數據線上沉積透明導電層的薄膜體管陣列基板及其制造方法,屬于電子設備制造領域。
背景技術
如圖4所示,為現有技術薄膜晶體管陣列基板的結構示意圖,其中數據線41為薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)的像素電極42提供數據信號,當數據線41出現斷路情況時,會導致TFT-LCD面板上出現一條亮線或暗線,造成嚴重的線性不良現象。現有技術中通常采用化學氣相沉積(chemical?vapordeposition,以下簡稱:CVD)方法來修復數據線41斷路的問題,但是這種方法會造成像素不良,對良品率和維修成功率產生較大影響,使得TFT-LCD的顯示性能下降。
發明內容
本發明的目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法,當數據線出現斷路情況時,不用維修即可修復,避免線性不良問題,提高TFT-LCD的良品率。
本發明提供了一種薄膜晶體管陣列基板,包括柵線、與源漏電極同層的數據線和像素電極,所述像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接,在所述數據線的上方形成有與所述數據線接觸的透明導電層,所述透明導電層的材料與所述像素電極相同,并且與所述像素電極形成在同層上,所述透明導電層與所述像素電極不相連。
本發明提供了一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法,包括在玻璃基板上依次形成柵線層、柵絕緣層、有源層、及源漏電極和數據線層,還包括:
步驟1、在形成柵線層、柵絕緣層、有源層、源漏電極和數據線層的玻璃基板上,沉積鈍化層;
步驟2、在完成步驟1的玻璃基板上,通過光刻工藝和刻蝕工藝形成過孔,同時刻蝕位于數據線上方的鈍化層,暴露出數據線;
步驟3、在完成步驟2的玻璃基板上,沉積透明導電層;
步驟4、在完成步驟3的玻璃基板上,通過光刻工藝和刻蝕工藝形成像素電極,同時保留數據線上方的透明導電層,所述數據線上方的透明導電層與所述像素電極不相連。
本發明提供的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法,在數據線的上方形成有與數據線接觸的透明導電層,當數據線出現斷路情況時,能通過與數據線接觸的透明導電層傳送數據信號,避免了線性不良問題,由于不用維修即可修復,因而不會造成像素不良,提高了TFT-LCD的良品率。
附圖說明
圖1為本發明薄膜晶體管陣列基板具體實施例的結構示意圖;
圖2為圖1中A-A向的剖面圖;
圖3為本發明薄膜晶體管陣列基板的制造方法具體實施例的流程圖;
圖4為現有技術薄膜晶體管陣列基板的結構示意圖。
具體實施方式
下面通過附圖和實施例,對本發明的技術方案做進一步的詳細描述。
如圖1所示,為本發明薄膜晶體管陣列基板具體實施例的結構示意圖,包括柵線、數據線11和像素電極12,其中在數據線11的上方形成有與數據線11接觸的透明導電層13,透明導電層13和像素電極12不相連。
透明導電層13的材料可以與像素電極12相同,且與像素電極12形成在同層上。
下面通過薄膜晶體管陣列基板的制造過程說明本發明的技術方案。
如圖2所示,為圖1中A-A向的剖面圖,包括玻璃基板21、柵線層22、柵絕緣層23、有源層(包括非晶硅層24和摻雜非晶硅層25)、源漏電極28、數據線11、鈍化層26、過孔27、像素電極12和透明導電層13,其中源漏電極28的源電極與數據線11連接。該薄膜晶體管陣列基板的制造過程為:在玻璃基板21上依次形成柵線層22、柵絕緣層23、非晶硅層24、摻雜非晶硅層25、源漏電極28和數據線11;沉積鈍化層26,通過光刻工藝和刻蝕工藝形成過孔27,與此同時,刻蝕位于數據線11上方的鈍化層,暴露出數據線11;沉積透明導電層,通過光刻工藝和刻蝕工藝形成像素電極12,同時保留數據線11上方的透明導電層13,且使得透明導電層13與像素電極12不相連。
本實施例在數據線11上方形成有與數據線11接觸的透明導電層13,相當于在數據線11上添加了一層導電層,當數據線11出現斷路情況時,能通過與數據線11接觸的透明導電層13傳送數據信號,避免了線性不良問題,由于不用維修即可修復,因而不會造成像素不良,提高了TFT-LCD的良品率。
如圖3所示,為本發明薄膜晶體管陣列基板的制造方法具體實施例的流程圖,具體包括如下步驟:
步驟101、在玻璃基板上依次形成柵線層、柵絕緣層、有源層、及源漏電極和數據線層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





