[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810057931.X | 申請日： | 2008-02-21 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101515587A | 公開（公告）日： | 2009-08-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 申偉;權(quán)基瑛;劉華 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/12 | 分類號(hào)： | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 劉 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜晶體管 陣列 及其 制造 方法 | ||
1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括柵線、與源漏電極同層的數(shù)據(jù)線和像素電極，所述像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接，其特征在于，在所述數(shù)據(jù)線的上方形成有與所述數(shù)據(jù)線接觸的透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層的材料與所述像素電極相同，并且與所述像素電極形成在同層上，所述透明導(dǎo)電層與所述像素電極不相連。
2.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括在玻璃基板上依次形成柵線層、柵絕緣層、有源層、及源漏電極和數(shù)據(jù)線層，其特征在于，還包括：
步驟1、在形成柵線層、柵絕緣層、有源層、源漏電極和數(shù)據(jù)線層的玻璃基板上，沉積鈍化層；
步驟2、在完成步驟1的玻璃基板上，通過光刻工藝和刻蝕工藝形成過孔，同時(shí)刻蝕位于數(shù)據(jù)線上方的鈍化層，暴露出數(shù)據(jù)線；
步驟3、在完成步驟2的玻璃基板上，沉積透明導(dǎo)電層；
步驟4、在完成步驟3的玻璃基板上，通過光刻工藝和刻蝕工藝形成像素電極，同時(shí)保留數(shù)據(jù)線上方的透明導(dǎo)電層，所述數(shù)據(jù)線上方的透明導(dǎo)電層與所述像素電極不相連。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
